[發明專利]一種制備氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽極的方法在審
| 申請號： | 201710033061.1 | 申請日： | 2017-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN106906488A | 公開（公告）日： | 2017-06-30 |
| 發明（設計）人： | 劉長海;王芳;陳智棟 | 申請（專利權）人： | 常州大學 |
| 主分類號： | C25B11/06 | 分類號： | C25B11/06;C25B11/10;C25D9/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 213164 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 氫氧化 修飾 氧化 陽極 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽極的方法，其特征在于，采用常溫下電沉積的方法，使陽極氧化的二氧化鈦光陽極管壁管徑內沉積氫氧化鈷，提高其光電性能，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1)陽極氧化的工作電極采用純鈦片，對電極為碳棒，以含氟化銨，水，乙二醇的有機溶液為電解液，施加電壓，陽極氧化二氧化鈦。
步驟2)電沉積氫氧化鈷采用在酸性硝酸鈷水溶液中，以二氧化鈦為工作電極，鉑片為對電極，銀氯化銀電極為參比電極，在常溫攪拌下施加電壓，得到沉積氫氧化鈷的二氧化鈦光陽極。
2.如權利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦陽極的方法，其特征在于：氟化銨有機溶液的濃度為0.3～0.5wt％。
3.如權利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽極的方法，其特征在于：陽極氧化電壓為30～60v。
4.如權利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽極的方法，其特征在于：陽極氧化時間為0.2～8小時。
5.如權利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽極的方法，其特征在于：二氧化鈦煅燒溫度450℃。
6.如權利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽極的方法，其特征在于：硝酸鈷溶液的濃度為0.01～0.5mol/L。
7.如權利要求1所述的氫氧化鈷修飾二氧化鈦光陽極的方法，其特征在于：電沉積電壓為-0.8～-1.2V。
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