[發(fā)明專利]一種三維復(fù)合Co3O4-Si-C負極材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710031319.4 | 申請日: | 2017-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN107068993B | 公開(公告)日: | 2019-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉莉麗;杜長江;劉春輝 | 申請(專利權(quán))人: | 北京工商大學(xué) |
| 主分類號: | H01M4/36 | 分類號: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/52;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 張文寶 |
| 地址: | 102488 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 三維 復(fù)合 co3o4 si 負極 材料 制備 方法 | ||
1.一種三維復(fù)合Co3O4-Si-C負極材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟
(1)將泡沫鎳經(jīng)酸預(yù)處理后作為導(dǎo)電集流體;
(2)將酸處理后的泡沫鎳轉(zhuǎn)移至裝有硝酸鈷、尿素和氟化銨的混合水溶液的反應(yīng)釜內(nèi),加熱反應(yīng)釜,并恒溫一段時間,隨后冷卻至室溫,產(chǎn)品洗滌干燥后經(jīng)高溫焙燒制得Co3O4的納米線結(jié)構(gòu)陣列;
(3)將可溶性硅源溶解于離子液體體系中,以上述步驟(2)制得的產(chǎn)物為陰極,以惰性電級為陽極,在一定溫度下進行恒壓或恒流電沉積,電沉積產(chǎn)物經(jīng)過有機物清洗分離出離子液體得到硅層;
(4)以上述步驟(3)制備的產(chǎn)物進行噴C表面處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,步驟(1)中所述酸預(yù)處理是將泡沫鎳在30%的濃硝酸中浸泡5min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,步驟(2)中所述混合水溶液是將1.0-3.0g硝酸鈷,0.3-0.5g氟化銨和1.0-3.0g尿素溶解于50mL蒸餾水中,攪拌30分鐘所得。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,步驟(2)中所述反應(yīng)釜是內(nèi)襯聚四氟乙烯的高壓反應(yīng)釜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,步驟(2)中所述加熱反應(yīng)釜是在120℃進行反應(yīng)1-5h,產(chǎn)品在350-450℃條件下焙燒3h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,步驟(3)中所述電沉積產(chǎn)物是在50℃含有0.25M SiCl4的季銨鹽離子液體中電解硅得到的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法,其特征在于,步驟(4)中所述噴C表面處理是采用KYKYSBC-2表面處理機進行噴碳處理,在材料表面包覆C層。
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