[發(fā)明專利]一種雙面扇出型晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710028190.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-01-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106783644A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 仇月東;林正忠;何志宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體(江陰)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/528 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所31219 | 代理人: | 姚艷 |
| 地址: | 214437 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙面 扇出型晶圓級(jí) 封裝 方法 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種雙面扇出型晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于,所述雙面扇出型晶圓級(jí)封裝方法至少包括如下步驟:
提供一載體,于所述載體上形成至少兩個(gè)第一焊盤;
于所述載體的上表面形成覆蓋所述第一焊盤上表面和側(cè)壁的重新布線層;
于所述重新布線層的上表面附著第一裸片和第二裸片,且所述第一裸片和所述第二裸片分別與所述重新布線層實(shí)現(xiàn)電性連接;
于所述重新布線層的上表面形成電極凸塊和包裹所述第一裸片、所述第二裸片及所述電極凸塊的一部分的第一塑封層;
去除所述載體,以暴露所述第一焊盤的下表面;
于所述第一焊盤的下表面附著第三裸片,且所述第三裸片通過所述第一焊盤實(shí)現(xiàn)與所述重新布線層的電性連接;
于所述重新布線層的下表面形成包裹所述第三裸片的第二塑封層;
于所述第一塑封層的上表面形成具有開口的鈍化層,所述開口暴露所述電極凸塊的頂面;
于所述開口中形成覆蓋所述電極凸塊頂面的下金屬化層和焊料球,其中,所述焊料球的一部分凸出在所述鈍化層外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面扇出型晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于,于所述載體的上表面形成覆蓋所述第一焊盤上表面和側(cè)壁的重新布線層,具體方法為:
于所述載體的上表面形成覆蓋所述第一焊盤上表面和側(cè)壁的介電層;
于所述介電層內(nèi)形成能夠與所述第一焊盤實(shí)現(xiàn)電性連接的金屬布線層,其中,所述金屬布線層為單層金屬層或多層金屬層;
于所述介電層的上表面形成能夠與所述金屬布線層實(shí)現(xiàn)電性連接的多個(gè)第二焊盤,最終得到所述重新布線層;
其中,所述第一裸片和所述第二裸片分別附著于所述第二焊盤的上表面,且通過所述第二焊盤實(shí)現(xiàn)與所述重新布線層的電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙面扇出型晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于,所述介電層采用低k介電材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙面扇出型晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于,所述金屬布線層采用銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種材料或兩種以上組合材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面扇出型晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于,所述電極凸塊至少包括底面帶有輔助焊料球的金屬銷;于所述重新布線層的上表面形成電極凸塊和包裹所述第一裸片、所述第二裸片及所述電極凸塊的一部分的第一塑封層,具體方法為:
于所述重新布線層的上表面安裝底部帶有輔助焊料球的金屬銷,以使所述金屬銷通過所述輔助焊料球附著于所述重新布線層上,且所述金屬銷與所述重新布線層實(shí)現(xiàn)電性連接;
于所述重新布線層的上表面形成包裹所述第一裸片、所述第二裸片及所述金屬銷的第一塑封層;
研磨所述第一塑封層,使所述金屬銷的頂面與所述第一塑封層的頂面平齊,以暴露所述金屬銷的頂面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面扇出型晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于,所述第一塑封層和所述第二塑封層采用聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種固化材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面扇出型晶圓級(jí)封裝方法,其特征在于,所述載體采用硅、玻璃、氧化硅、陶瓷、聚合物以及金屬中的一種材料或兩種以上的復(fù)合材料。
8.一種雙面扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述雙面扇出型晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)至少包括:
至少兩個(gè)第一焊盤;
覆蓋于所述第一焊盤上表面和側(cè)壁的重新布線層;
附著于所述重新布線層上表面的第一裸片和第二裸片,且所述第一裸片和所述第二裸片分別與所述重新布線層實(shí)現(xiàn)電性連接;
形成于所述重新布線層上表面的電極凸塊和包裹所述第一裸片、所述第二裸片及所述電極凸塊的一部分的第一塑封層;
附著于所述第一焊盤下表面的第三裸片,且所述第三裸片通過所述第一焊盤實(shí)現(xiàn)與所述重新布線層的電性連接;
形成于所述重新布線層下表面的包裹所述第三裸片的第二塑封層;
形成于所述第一塑封層上表面的具有開口的鈍化層,所述開口暴露所述電極凸塊的頂面;以及
形成于所述開口中的覆蓋所述電極凸塊頂面的下金屬化層和焊料球,其中,所述焊料球的一部分凸出在所述鈍化層外。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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