[發明專利]一種具有陽極短路槽的RB?IGBT

在審

• 申請號: 201710027574.1
• 申請日: 2017-01-16
• 公開（公告）號: CN106783989A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 羅小蓉;孫濤;黃琳華;鄧高強;周坤;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/417
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種具有陽極短路槽的RB-IGBT，包括集電極結構、漂移區(4)、發射極結構和柵極結構，其中集電極結構位于漂移區下端，發射極結構和柵極結構位于漂移區(4)之上；

所述發射極結構包括位于漂移區上表面的N型存儲層(5)和位于N型層(5)上表面的P型阱區(6)，所述P型阱區(6)上層沿器件橫向方向并列設置有N型發射極區(7)和P型體接觸區(8)；所述N型發射極區(7)和P型體接觸區(8)的共同引出端為發射極；

其特征在于，所述集電極結構包括P型集電極層(1)與多個陽極短路槽，P型集電極層(1)位于N型漂移區(4)的下表面；所述陽極短路槽沿器件橫向方向間斷分布，且陽極短路槽沿器件垂直方向貫穿P型集電極層(1)延伸入N型漂移區(4)中；所述P型集電極層(1)和陽極短路槽的共同引出端為集電極；所述陽極短路槽由第一導電材料(22)和第一絕緣介質(32)構成，第一導電材料(22)位于第一絕緣介質(32)之中。

2.根據權利要求1所述的一種具有陽極短路槽的RB-IGBT，其特征在于，所述柵極結構為溝槽柵，溝槽柵位于發射極結構的兩側；所述溝槽柵由第二導電材料(21)和第二絕緣介質(31)構成，第二絕緣介質(31)位于溝槽柵的側壁和底部，第二導電材料(21)被第二絕緣介質(31)包圍，所述第二導電材料(21)的引出端為柵極；所述溝槽柵從器件上表面沿垂直方向穿過P型阱區(6)與N型存儲層(5)后與漂移區(4)接觸，溝槽柵的側面與N型層(5)、P型阱區(6)和N型發射極區(7)的側面接觸。

3.根據權利要求1所述的一種具有陽極短路槽的RB-IGBT，其特征在于，所述柵極結構為平面柵，所述平面柵由第二絕緣介質(31)和位于第二絕緣介質(31)上表面的第二導電材料(21)構成；所述第二導電材料(21)的引出端為柵極；所述第二絕緣介質(31)與漂移區(4)上表面、N型存儲層(5)、P型阱區表面(6)和部分N型發射極區(7)的上表面均接觸。

4.根據權利要求2或3所述的一種具有陽極短路槽的RB-IGBT，其特征在于，陽極短路槽之間沿器件橫向方向上等間距。

5.根據權利要求2或3所述的一種具有陽極短路槽的RB-IGBT，其特征在于，陽極短路槽之間沿器件橫向方向上不等間距。