[發(fā)明專利]一種低容低殘壓瞬態(tài)電壓抑制二極管器件及其制造方法在審

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201710023829.7	申請(qǐng)日：	2017-01-13
公開（公告）號(hào)：	CN106684040A	公開（公告）日：	2017-05-17
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	霍田佳;蘇海偉;趙德益;趙志方;王允;呂海鳳;張嘯;杜牧涵;蘇亞兵	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	上海長(zhǎng)園維安微電子有限公司
主分類號(hào)：	H01L21/8222	分類號(hào)：	H01L21/8222;H01L27/07
代理公司：	上海東亞專利商標(biāo)代理有限公司31208	代理人：	董梅
地址：	201202 上***	國(guó)省代碼：	上海;31
權(quán)利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	一種低容低殘壓瞬態(tài) 電壓抑制二極管器件及其制造方法
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造

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說明：

1、專利原文基于中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說明書；

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