[發(fā)明專利]具有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬氧化半導(dǎo)體元件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710022944.2
• 申請日: 2017-01-12
• 公開（公告）號: CN108305899A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃宗義
• 申請（專利權(quán)）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 張一軍;趙靜

1.一種具有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬氧化半導(dǎo)體MOS元件，其特征在于，包含：

一半導(dǎo)體基板，其于一縱向上具有大致上彼此平行的多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)以定義一元件區(qū)，且該半導(dǎo)體基板于一垂直方向上，具有相對的一上表面與一下表面，其中，一第一凹槽結(jié)構(gòu)及一第二凹槽結(jié)構(gòu)形成于該上表面上，該第一凹槽結(jié)構(gòu)及該第二凹槽結(jié)構(gòu)沿著該縱向大致上彼此平行；

一柵極，位于該半導(dǎo)體基板的該上表面上的該元件區(qū)中；

一源極與一漏極，位于該柵極下方的外部兩側(cè)；以及

與該源極及該漏極相同傳導(dǎo)型態(tài)的二輕摻雜擴(kuò)散LDD區(qū)，分別位于該柵極下方兩側(cè)；

其中，于該第一凹槽結(jié)構(gòu)及該第二凹槽結(jié)構(gòu)中，填入導(dǎo)電材質(zhì)以作為接觸材料，且由剖視圖視之，該第一凹槽結(jié)構(gòu)及該第二凹槽結(jié)構(gòu)位于該柵極下方的外部兩側(cè)，并分別介于該柵極與該絕緣結(jié)構(gòu)之間；

其中，該第一凹槽結(jié)構(gòu)于該橫向上具有靠近該柵極的一第一邊界及遠(yuǎn)離該柵極的一第二邊界，該第二凹槽結(jié)構(gòu)于該橫向上具有靠近該柵極的一第三邊界及遠(yuǎn)離該柵極的一第四邊界；

其中，該第一邊界及該第三邊界，于該橫向上，不進(jìn)入該柵極所具有的一介電層的正下方的區(qū)域；

其中，該第一凹槽結(jié)構(gòu)及該第二凹槽結(jié)構(gòu)，由剖視圖視之，其深度，自該半導(dǎo)體基板的該上表面開始沿著該垂直方向而向下計(jì)算，深于該二輕摻雜擴(kuò)散區(qū)各自于該垂直方向上的深度；

其中，由剖視圖視之，該源極與該漏極分別于該第一邊界與該第三邊界外部的該垂直方向上，具有一垂直連接部，分別與該二輕摻雜擴(kuò)散區(qū)連接。

2.如權(quán)利要求1所述的具有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中，該二輕摻雜擴(kuò)散LDD區(qū)，于該橫向上，分別不與該源極及該漏極連接。

3.如權(quán)利要求1所述的具有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中，該第一凹槽結(jié)構(gòu)及該第二凹槽結(jié)構(gòu)，由剖視圖視之，其深度，自該半導(dǎo)體基板的該上表面開始沿著該垂直方向而向下計(jì)算，不深于該絕緣結(jié)構(gòu)于該垂直方向上的深度。

4.如權(quán)利要求1所述的具有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中，該第一凹槽結(jié)構(gòu)及該第二凹槽結(jié)構(gòu)，由剖視圖視之，其深度，自該半導(dǎo)體基板的該上表面開始沿著該垂直方向而向下計(jì)算，不深于5000埃。

5.如權(quán)利要求1所述的具有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中，該絕緣結(jié)構(gòu)包括一區(qū)域氧化LOCOS結(jié)構(gòu)或一淺溝槽絕緣STI結(jié)構(gòu)。

6.一種具有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬氧化半導(dǎo)體元件，其特征在于，包含：

一半導(dǎo)體基板，其于一縱向上具有大致上彼此平行的多個(gè)絕緣結(jié)構(gòu)以定義一元件區(qū)，且該半導(dǎo)體基板于一垂直方向上，具有相對的一上表面與一下表面，其中，一凹槽結(jié)構(gòu)形成于該上表面上；

一柵極，位于該半導(dǎo)體基板的該上表面上的該元件區(qū)中；

一源極與一漏極，位于該柵極下方的外部兩側(cè)；以及

與該源極及該漏極相同傳導(dǎo)型態(tài)的二輕摻雜擴(kuò)散區(qū)，分別位于該柵極下方兩側(cè)；

其中，于該凹槽結(jié)構(gòu)中，填入導(dǎo)電材質(zhì)以作為接觸材料，且由剖視圖視之，該凹槽結(jié)構(gòu)位于該柵極下方的外部的一側(cè)，且該凹槽結(jié)構(gòu)，由剖視圖視之，其與該漏極位于同一側(cè)，并介于該柵極與該絕緣結(jié)構(gòu)之間；

其中，該凹槽結(jié)構(gòu)于該橫向上具有靠近該柵極的一第一邊界及遠(yuǎn)離該柵極的一第二邊界；

其中，該第一邊界，于該橫向上，不進(jìn)入該柵極所具有的一介電層的正下方的區(qū)域；

其中，該凹槽結(jié)構(gòu)，由剖視圖視之，其深度，自該半導(dǎo)體基板的該上表面開始沿著該垂直方向而向下計(jì)算，深于與該漏極位于同一側(cè)的其中之一的該輕摻雜擴(kuò)散區(qū)于縱向上的深度；

其中，由剖視圖視之，該漏極于該第一邊界外部的該垂直方向上，具有一垂直連接部，與和該漏極位于同一側(cè)的其中的一的該輕摻雜擴(kuò)散區(qū)連接。

7.如權(quán)利要求6所述的具有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬氧化半導(dǎo)體元件，其中，與該漏極位于同一側(cè)的其中之一的該輕摻雜擴(kuò)散區(qū)，于該橫向上，不與該漏極連接；且，其中，與該源極位于同一側(cè)的其中的另一的該輕摻雜擴(kuò)散LDD區(qū)，于該橫向上，與該源極連接。