[發明專利]一種高導電碳材料及其低溫制備方法有效
| 申請號： | 201710020838.0 | 申請日： | 2017-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN108298516B | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發明（設計）人： | 李玉良;左自成;劉輝彪;李勇軍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號： | C01B32/05 | 分類號： | C01B32/05;H01M4/62;H01M4/96;H01G11/44;H01G11/86 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 關暢;王春霞 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 導電 材料 及其 低溫 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高導電碳材料的制備方法，包括如下步驟：
在氣體氣氛或真空環境中，富端基炔的前驅體在加壓、微波、紅外、超聲、光照和加熱中至少一種條件下進行反應，得到黑色固體粉末，即為所述高導電碳材料；
所述富端基炔的前驅體含有至少3個端炔基；
所述富端基炔的前驅體具有共軛結構；
所述富端基炔的前驅體為化合物1-化合物12中至少一種：
所述氣體氣氛為氮氣氣氛、氬氣氣氛、氦氣氣氛、氨氣氣氛、氫氣氣氛、空氣氣氛和氧氣氣氛中至少一種；
所述反應的溫度為150℃～300℃；
所述反應的時間為10分鐘～8小時。
2.權利要求1所述方法制備的高導電碳材料。
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