[發明專利]一種緩沖式多晶硅籽晶熔化控制的裝料方法在審
| 申請號： | 201710019712.1 | 申請日： | 2017-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN106835271A | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | 王強;尤敏;陳云;朱海峰;鄧潔;鄧洪海;章國安 | 申請（專利權）人： | 南通大學 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙)32249 | 代理人： | 徐激波 |
| 地址： | 226000*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 緩沖 多晶 籽晶 熔化 控制 裝料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種緩沖式多晶硅籽晶熔化控制的裝料方法，其特征在于：
包括以下步驟：
步驟a、在坩堝(6)底部鋪設一層多晶硅塊作為定向凝鑄半熔工藝的籽晶層(1)；
步驟b、在籽晶層(1)上碼放小顆粒原生多晶硅料和細小多晶硅碎片，作為緩沖層(2)；
步驟c、在緩沖層(2)上碼放一層多晶硅晶磚，作為阻擋層(3)，所述阻擋層(3)的中心處共使用25塊晶磚，邊側各用晶磚填滿；
步驟d、使用小顆粒原生多晶硅料將上述步驟中的多晶硅晶磚的縫隙填滿；
步驟e、在阻擋層(3)上逐層碼放如下硅料(4)：菜籽料、原生多晶硅料、頭尾及邊皮料，直至堆放硅料高出坩堝100-120mm。
2.根據權利要求1所述的緩沖式多晶硅籽晶熔化控制的裝料方法，其特征在于：所述步驟a中的籽晶層(1)厚度為12-18mm。
3.根據權利要求1所述的緩沖式多晶硅籽晶熔化控制的裝料方法，其特征在于：所述步驟b中的緩沖層(2)的填充高度為100-150mm。
4.根據權利要求1或2所述的緩沖式多晶硅籽晶熔化控制的裝料方法，其特征在于：所述步驟c中多晶硅晶磚的長、寬、高分別為156mm、156mm、30-40mm。
5.根據權利要求4所述的緩沖式多晶硅籽晶熔化控制的裝料方法，其特征在于：所述坩堝(6)內側壁上設有多晶硅晶磚作為保護層(5)。
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