[發明專利]半導體元件與其制作方法

在審

• 申請號: 201710019383.0
• 申請日: 2017-01-11
• 公開（公告）號: CN108305876A
• 公開（公告）日: 2018-07-20
• 發明（設計）人: 林哲平;詹電鍼;詹書儼;王永銘;何建廷
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L29/06;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體元件，包括：

基底，包括主動區、隔離結構以及字符線溝槽，其中該隔離結構圍繞該主動區，該字符線溝槽貫穿該主動區，且該主動區具有第一導電類型，與第二導電類型互補；

兩第一摻雜區，分別設置于該字符線溝槽兩側的該主動區中，其中各該第一摻雜區與該字符線溝槽的底面位于同一水平面，且各該第一摻雜區包括該第一導電類型的摻質或本征半導體摻質；

字符線結構，設置于該字符線溝槽中；以及

兩源極/漏極區，分別設置于該字符線溝槽兩側的各該第一摻雜區上的該主動區中，其中該多個源極/漏極區具有該第二導電類型。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，還包括第二摻雜區，設置于該字符線溝槽下的該基底中，且該第二摻雜區包括該第一導電類型摻質或本征半導體摻質。

3.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，該隔離結構的底面的水平面介于該第二摻雜區與各該第一摻雜區之間。

4.如權利要求2所述的半導體元件，其特征在于，該多個第一摻雜區與該第二摻雜區于一垂直投影方向上所形成的大小與該主動區的大小相同。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，各該第一摻雜區包括該第一導電類型摻質，且各該第一摻雜區的摻雜濃度大于該主動區的摻雜濃度。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其特征在于，該字符線溝槽的深度小于該隔離結構的深度。

7.一種制作半導體元件的方法，包括：

提供一基底，其中該基底包括一主動區以及一隔離結構，該隔離結構圍繞該主動區，且該主動區具有一第一導電類型；

在該基底上形成一字符線溝槽，貫穿該主動區；以及

在該字符線溝槽兩側的該主動區中分別形成一第一摻雜區，其中各該第一摻雜區與該字符線溝槽的底面位于同一水平面，且各該第一摻雜區包括該第一導電類型的摻質或本征半導體摻質。

8.如權利要求7所述的制作半導體元件的方法，其特征在于，還包括于形成該多個第一摻雜區之后，在該字符線溝槽中形成一字符線結構。

9.如權利要求7所述的制作半導體元件的方法，其特征在于，還包括于提供該基底與形成該多個第一摻雜區之間于該字符線溝槽中形成一字符線結構。

10.如權利要求7所述的制作半導體元件的方法，其特征在于，該第一導電類型摻質包括硼、鋁、鎵或銦。

11.如權利要求7所述的制作半導體元件的方法，其特征在于，本征半導體摻質包括碳、硅或鍺。

12.如權利要求7所述的制作半導體元件的方法，其特征在于，形成該多個第一摻雜區還包括于該字符線溝槽下的該基底中形成一第二摻雜區，其中該第二摻雜區中該第二導電類型的載流子濃度小于該主動區中的該第二導電類型的載流子濃度。

13.如權利要求7所述的制作半導體元件的方法，其特征在于，還包括于形成該字符線溝槽之前，在該主動區中形成一第三摻雜區，且形成該字符線溝槽包括將該第三摻雜區分隔為兩源極/漏極區，其中各該源極/漏極區具有該第二導電類型。

14.如權利要求7所述的制作半導體元件的方法，其特征在于，還包括：

在形成該字符線溝槽之后，在該字符線溝槽中形成一字符線結構；以及

在該字符線溝槽兩側的該多個第一摻雜區上的該主動區中分別形成一源極/漏極區，且各該源極/漏極區具有該第二導電類型。