[發(fā)明專利]內(nèi)嵌式觸控顯示面板及電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710010363.7
• 申請(qǐng)日: 2017-01-06
• 公開（公告）號(hào): CN106775165B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張紅森;黃耀立
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G06F3/044
• 分類號(hào): G06F3/044;G02F1/1333;G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 林才桂

本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌式觸控顯示面板及電子裝置。該內(nèi)嵌式觸控顯示面板改變了傳統(tǒng)觸控顯示面板陣列基板側(cè)像素電極層與公共電極層的位置，將作為觸控傳感器的公共電極層(21)變更到頂層，將像素電極層(16)變更到公共電極層(21)下方，像素電極(161)經(jīng)由貫穿平坦層(15)的第一過孔(V1)便連接至TFT(14)的源/漏極(145)，僅需要對(duì)平坦層(15)挖孔，而不需像現(xiàn)有技術(shù)那樣既對(duì)保護(hù)層挖孔，又對(duì)平坦層挖孔才能實(shí)現(xiàn)像素電極與TFT的連接，從而能夠減少一個(gè)光罩及一道挖孔制程，節(jié)約了光罩購買費(fèi)用，降低了生產(chǎn)成本，提升了生產(chǎn)效率；此外，作為觸控傳感器的公共電極層(21)置于頂層還有利于優(yōu)化靈敏度和信噪比，從而改善觸控性能，提升產(chǎn)品品質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)嵌式觸控顯示面板及電子裝置。

背景技術(shù)

觸控技術(shù)作為智能化的一個(gè)重要指標(biāo)，應(yīng)用范圍越來越廣。觸控技術(shù)經(jīng)過快速的發(fā)展，按照觸控原理可分為壓阻式、光學(xué)式、電容式等，其中電容式觸控技術(shù)經(jīng)過多代的發(fā)展，應(yīng)用最為廣泛。電容式觸控技術(shù)大致可分為外掛式(Add-on type)、外嵌式(On-celltype)、及內(nèi)嵌式(In-cell type)。

如今，內(nèi)嵌式觸控顯示面板越來越多地應(yīng)用到手機(jī)等電子顯示設(shè)備。內(nèi)嵌式觸控顯示面板將觸控與顯示功能集成在一起，將觸控傳感器(Touch Sensor)制作在薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)(通常稱為TFT陣列基板)與彩色濾光片基板(Color Filter，CF)之間，在保證觸控靈敏度的同時(shí)，可以使觸控顯示產(chǎn)品更輕薄、光學(xué)顯示性能更好，同時(shí)可以將顯示和觸控的驅(qū)動(dòng)電路整合到一顆芯片，量產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)低成本效益。

傳統(tǒng)的內(nèi)嵌式觸控顯示面板主要是在TFT陣列基板的基礎(chǔ)上增加觸控傳感器層的設(shè)計(jì)，通常是將TFT陣列基板側(cè)的作為公共電極的底層氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)電極(常稱為BITO)切割成多個(gè)圖案化的觸控感測(cè)電極，一般為正方形或長(zhǎng)方形，然后在BITO及作為像素電極的頂層氧化銦錫電極(常稱為TITO)之間增加一金屬(Metal)層作為觸控信號(hào)拉線，每個(gè)觸控感測(cè)電極都會(huì)通過過孔與對(duì)應(yīng)的觸控信號(hào)拉線連接，最終接入顯示和觸控驅(qū)動(dòng)集成芯片，這種架構(gòu)設(shè)計(jì)可稱為IMI架構(gòu)。

具體地，請(qǐng)參閱圖1，傳統(tǒng)內(nèi)嵌式觸控顯示面板的TFT陣列基板包括自下至上依次層疊設(shè)置的襯底10、遮光層20、緩沖層30、有源層40、柵極絕緣層50、柵極60、層間絕緣層70、源/漏極80、平坦層90、公共電極層100、頂層絕緣層110、觸控信號(hào)拉線120、保護(hù)層130、及像素電極層140。如上述，底層的公共電極層100被切割成多個(gè)正方形或長(zhǎng)方形的觸控感測(cè)電極1001，不同觸控感測(cè)電極1001之間完全隔開。觸控信號(hào)拉線120通過貫穿頂層絕緣層110的第一過孔V10接觸觸控感測(cè)電極1001；像素電極層140通過貫穿保護(hù)層130的第二過孔V20、及連接第二過孔V20并貫穿頂層絕緣層110與平坦層90的第三過孔V30接觸源/漏極80。該種IMI架構(gòu)的設(shè)計(jì)在制作第二過孔V20、第三過孔V30時(shí)需要兩個(gè)光罩、兩道挖孔制程(包括使用光罩進(jìn)行曝光、蝕刻、剝離等工序)。

請(qǐng)參閱圖2，方塊即示意為一個(gè)個(gè)的觸控感測(cè)電極1001，每個(gè)觸控感測(cè)電極1001都會(huì)通過對(duì)應(yīng)的觸控信號(hào)拉線120連接至顯示和觸控驅(qū)動(dòng)集成芯片200。該種內(nèi)嵌式觸控顯示面板的實(shí)現(xiàn)原理為：在手指觸摸面板前后，觸控感測(cè)電極1001感測(cè)到的電容量不同，顯示和觸控驅(qū)動(dòng)集成芯片200通過檢測(cè)這個(gè)電容變化量檢測(cè)出手指的觸控位置，從而實(shí)現(xiàn)觸控功能。

雖然傳統(tǒng)的IMI架構(gòu)設(shè)計(jì)的觸控顯示面板可以順利實(shí)現(xiàn)觸控功能，但是制作時(shí)需要的光罩及工藝制程數(shù)量較多，成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)嵌式觸控顯示面板，制作該內(nèi)嵌式觸控顯示面板時(shí)需要的光罩及工藝制程數(shù)量較現(xiàn)有技術(shù)減少，能夠降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率，并有利于改善觸控性能，提升產(chǎn)品品質(zhì)。