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[發明專利]一種防止CBO晶體生長過程掉入熔體的方法在審

專利信息
申請號: 201710008604.4 申請日: 2017-01-06
公開(公告)號: CN106637407A 公開(公告)日: 2017-05-10
發明(設計)人: 王昌運 申請(專利權)人: 福建福晶科技股份有限公司
主分類號: C30B29/22 分類號: C30B29/22;C30B9/12
代理公司: 暫無信息 代理人: 暫無信息
地址: 350003 福建*** 國省代碼: 福建;35
權利要求書: 查看更多 說明書: 查看更多
摘要:
搜索關鍵詞: 一種 防止 cbo 晶體生長 過程 掉入熔體 方法
【權利要求書】:

1.一種防止CBO晶體生長過程掉入熔體的方法其特征在于:采用鉑金片包裹籽晶,籽晶末端剩余1.8mm露出外面,晶體下種過程中,籽晶末端2mm浸入熔體,利用熔體封住鉑片和籽晶交界處。

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