[發明專利]溫度補償振蕩器

有效

• 申請號: 201710007204.1
• 申請日: 2017-01-05
• 公開（公告）號: CN107017841B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 羅伯特·埃恩特納
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種溫度補償振蕩器，其特征在于，包括：

第一電容充電電路，所述第一電容充電電路包括具有連接到公共連接的源極的第一場效應晶體管和連接在所述第一場效應晶體管柵極與所述公共連接之間的第一電容器，所述第一場效應晶體管被布置成當所述第一電容器充電至高于所述第一場效應晶體管的閾值電壓時切換狀態；

第一電流源，所述第一電流源連接在電源電壓連接與第一場效應晶體管柵極之間；

第二電容充電電路，所述第二電容充電電路包括第二場效應晶體管和第二電容器，所述第二電容器連接在所述第二場效應晶體管柵極與所述公共連接之間并被布置成當所述第一場效應晶體管切換狀態時開始放電，所述第二場效應晶體管具有連接到所述電源電壓連接的源極與連接到所述第一場效應晶體管漏極的柵極，且被布置成當所述第二電容器放電至低于等于所述電源電壓連接處的電源電壓減去所述第二場效應晶體管的閾值電壓的電壓時切換狀態；

第二電流源，所述第二電流源連接在所述電源電壓連接與所述第二場效應晶體管柵極之間；

第三電容充電電路，所述第三電容充電電路包括具有連接到公共連接的源極的第三場效應晶體管和第三電容器，所述第三電容器連接在所述第二場效應晶體管漏極與所述公共連接之間并被布置成當所述第二場效應晶體管切換狀態時開始放電，所述第三場效應晶體管具有連接到所述第一場效應晶體管柵極的漏極與連接到所述第二場效應晶體管漏極的柵極，且被布置成當所述第三電容器放電至低于所述第三場效應晶體管的閾值電壓時切換狀態；

第三電流源，所述第三電流源連接在所述第三場效應晶體管漏極與所述公共連接之間；

其中，所述第一場效應晶體管和所述第三場效應晶體管是n溝道MOSFET，且所述第二場效應晶體管是p溝道MOSFET。

2.根據權利要求1所述的溫度補償振蕩器，其特征在于，所述振蕩器的振蕩頻率在小于700mV的電源電壓下在-25℃與50℃之間的溫度范圍中變化少于2％。

3.一種RFID集成電路，其特征在于，包括根據在前的任一項述利要求所述的溫度補償振蕩器。

4.一種RFID標簽，其特征在于，包括根據權利要求3所述的集成電路。