[發明專利]高壓瓷絕緣半導體釉有效
| 申請號： | 201710002735.1 | 申請日： | 2017-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN106630634B | 公開（公告）日： | 2019-06-18 |
| 發明（設計）人： | 姚紹明;薛征峰;羅漢英 | 申請（專利權）人： | 重慶鴿牌電瓷有限公司 |
| 主分類號： | C03C8/20 | 分類號： | C03C8/20;C03C1/04;C04B41/86;C03C8/16 |
| 代理公司： | 重慶強大凱創專利代理事務所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 黃書凱;文怡然 |
| 地址： | 401221 重慶市*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 絕緣 半導體 | ||
【權利要求書】：
1.高壓瓷絕緣半導體釉，其特征在于，所述半導體釉包括以下質量份數的組分：高鉀低鐵長石25～35份，坯泥8～14份，東勝土4～10份，鍛滑石1～4份，石英粉20～30份，碳酸鋇2～4份，氧化鐵紅12～18份，氧化鉻綠1～3份，二氧化鈦9～12份，鋰輝石1～2份。
2.根據權利要求1所述的高壓瓷絕緣半導體釉，其特征在于：所述半導體釉包括以下質量份數的組分：高鉀低鐵長石27份，坯泥10份，東勝土6份，鍛滑石2份，石英粉25份，碳酸鋇3份，氧化鐵紅14份，氧化鉻綠2份，二氧化鈦9份，鋰輝石2份。
3.根據權利要求1所述的高壓瓷絕緣半導體釉，其特征在于：所述半導體釉包括以下質量份數的組分：高鉀低鐵長石25份，坯泥8份，東勝土4份，鍛滑石1份，石英粉20份，碳酸鋇2份，氧化鐵紅12份，氧化鉻綠1份，二氧化鈦9份，鋰輝石1份。
4.根據權利要求1所述的高壓瓷絕緣半導體釉，其特征在于：所述半導體釉包括以下質量份數的組分：高鉀低鐵長石35份，坯泥14份，東勝土10份，鍛滑石4份，石英粉30份，碳酸鋇4份，氧化鐵紅18份，氧化鉻綠3份，二氧化鈦12份，鋰輝石1.5份。
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