[發明專利]半導體元件的制作方法

有效

• 申請號: 201710001445.5
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN108269807B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 陳美玲;劉瑋鑫;陳意維;張家隆;李瑞珉;張景翔;吳姿錦;鄒世芳
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體元件的制作方法，包含有：

提供一基底，該基底內定義有一存儲區域以及一周邊區域，該存儲區域內包含有多個存儲單元，各該存儲單元至少包含有第一晶體管以及電容結構，該電容結構包含有一粗糙表面，該周邊區包含有至少一第二晶體管；

在該存儲區域以及該周邊區域內，以一原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)方式形成一第一絕緣層，至少覆蓋該存儲區域內的各該存儲單元的該電容結構的該粗糙表面以及該周邊區域內的該第二晶體管，以填補該電容結構的該粗糙表面；

形成一第二絕緣層，覆蓋于該第一絕緣層上；以及

在該周邊區域內的該第二絕緣層內形成一接觸結構，至少電連接該第二晶體管。

2.如權利要求1所述的制作方法，其中位于該存儲區域以及該周邊區域的交界處包含有一底部夾角區，且該第一絕緣層至少覆蓋于該底部夾角區。

3.如權利要求1所述的制作方法，其中該第一絕緣層的厚度小于500埃。

4.如權利要求1所述的制作方法，其中該第二絕緣層的厚度大于1.5微米。

5.如權利要求1所述的制作方法，其中該第一絕緣層的材料包含氧化硅或氮化硅。

6.如權利要求1所述的制作方法，其中該第二絕緣層的材料包含四乙氧基硅烷(tetraethyl orthosilicate，TEOS)。

7.如權利要求1所述的制作方法，其中形成該第二絕緣層的過程中，制作工藝溫度高于攝氏400度。

8.如權利要求1所述的制作方法，其中形成該第二絕緣層之后，制作工藝溫度低于攝氏40度以下。

9.一種半導體元件的制作方法，包含有：

提供一基底，該基底內定義有一存儲區域以及一周邊區域，該存儲區域內包含有多個存儲單元，各該存儲單元至少包含有一第一晶體管以及一電容結構，該電容結構包含有一粗糙表面，該周邊區包含有至少一第二晶體管；

在該存儲區域以及該周邊區域內，形成一第一絕緣層，至少覆蓋該存儲區域內的各該存儲單元的該電容結構的該粗糙表面以及該周邊區域內的該第二晶體管，以填補該電容結構的該粗糙表面，其中該第一絕緣層包含有拉伸應力(tensile stress)；

形成一第二絕緣層，覆蓋于該第一絕緣層上，其中該第二絕緣層包含有壓應力(compressive stress)；以及

在該周邊區域內的該第二絕緣層內形成一接觸結構，至少電連接該第二晶體管。

10.如權利要求9述的制作方法，其中于該存儲區域以及該周邊區域的交界處包含有一底部夾角區，且該第一絕緣層至少覆蓋于該底部夾角區。

11.如權利要求9述的制作方法，其中該第一絕緣層的厚度小于500埃。

12.如權利要求9述的制作方法，其中該第二絕緣層的厚度大于1.5微米。

13.如權利要求9述的制作方法，其中該第一絕緣層的材料包含氧化硅或氮化硅。

14.如權利要求9述的制作方法，其中該第二絕緣層的材料包含四乙氧基硅烷(tetraethyl orthosilicate，TEOS)。

15.如權利要求9述的制作方法，其中形成該第二絕緣層的過程中，制作工藝溫度高于攝氏400度。

16.如權利要求9述的制作方法，其中形成該第二絕緣層之后，制作工藝溫度低于攝氏40度以下。