[發(fā)明專利]一種防止電源短路的開關(guān)放電裝置及移動終端

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710001178.1
• 申請日: 2017-01-03
• 公開（公告）號: CN106851025A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雷玉雄;黃文滔
• 申請（專利權(quán)）人: 惠州TCL移動通信有限公司
• 主分類號: H04M1/74
• 分類號: H04M1/74;H04B1/3818;H02H9/04
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44268
• 代理人: 王永文,劉文求

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及移動終端技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種防止電源短路的開關(guān)放電裝置及移動終端。

背景技術(shù)

目前隨著人們生活水平日益提高，移動終端幾乎成了社交生活必備的產(chǎn)品，目前市場上比較流行多合一卡托設(shè)置，如圖1所示，在卡托上設(shè)置兩個卡位，可同時將SD卡與SIM卡設(shè)計(jì)在一個卡托里，SD卡在外側(cè)而SIM卡在內(nèi)側(cè)，可縮小設(shè)計(jì)空間，因此越來越多廠商鐘愛這種卡槽，但是由于這種卡槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)缺陷，在拔插過程中，會有低概率燒毀SIM卡的現(xiàn)象，例如在拔出卡托的時候，SIM卡會經(jīng)過SD card vmch pin的位置，由于SD card不能及時下電，可能會燒毀SIM卡。

因而現(xiàn)有技術(shù)還有待改進(jìn)和提高。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種防止電源短路的開關(guān)放電裝置及移動終端，開關(guān)電路根據(jù)卡托的插拔狀態(tài)能從電源端關(guān)閉供電電源，同時在電源關(guān)閉時通過放電電路將剩余電荷快速釋放到地，保證卡托在拔出過程中SIM卡不會因?yàn)橥鈧?cè)卡槽上的供電未斷開而被燒壞。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案：

一種防止電源短路的開關(guān)放電裝置，其包括檢測模塊、開關(guān)電路和放電電路，由檢測模塊檢測卡托的插拔狀態(tài)并輸出相應(yīng)的電平信號，開關(guān)電路根據(jù)所述電平信號控制最外側(cè)卡槽的電源導(dǎo)通或關(guān)閉，放電電路在最外側(cè)卡槽的電源關(guān)閉時控制供電通路上的剩余電荷釋放到地。

所述的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中，所述開關(guān)電路包括第一開關(guān)單元和第二開關(guān)單元，第一開關(guān)單元根據(jù)所述電平信號處于導(dǎo)通或關(guān)閉狀態(tài)，并輸出相應(yīng)的電壓至第二開關(guān)單元，第二開關(guān)單元根據(jù)所述電壓控制最外側(cè)卡槽的電源導(dǎo)通或關(guān)閉。

所述的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中，所述放電電路包括第三開關(guān)單元和放電單元，所述第三開關(guān)單元在最外側(cè)卡槽的電源導(dǎo)通時控制放電單元關(guān)閉，在最外側(cè)卡槽的電源關(guān)閉時控制放電單元開啟，將供電通路上的剩余電荷釋放到地。

所述的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中，所述第一開關(guān)單元包括第一MOS管，所述第一MOS管的柵極連接IO電壓端、中斷信號輸入端和放電電路，所述第一MOS管的漏極連接第二開關(guān)電源，所述第一MOS管的源極接地。

所述的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中，所述第二開關(guān)單元包括第二MOS管、第一電阻和第一電容，所述第二MOS管的柵極連接第一MOS管的漏極、還通過第一電阻連接第二MOS管的源極，所述第二MOS管的源極連接第一供電端、還通過第一電容接地，所述第二MOS管的漏極連接第二供電端。

所述的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中，所述第三開關(guān)單元包括第三MOS管和第二電容，所述第三MOS管的柵極連接中斷信號輸入端、還通過所述第二電容連接第三MOS管的源極和地，所述第三MOS管的漏極連接IO電壓端和放電單元。

所述的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中，所述放電單元包括第四MOS管和第二電阻，所述第四MOS管的柵極連接第三MOS管的漏極，所述第四MOS管的漏極連接第二供電端，所述第四MOS管的源極通過第二電阻接地。

所述的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中，所述第一MOS管為NMOS管，所述第二MOS管為PMOS管。

所述的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中，第三MOS管和第四MOS管均為NMOS管。

一種移動終端，其包括如上所述的防止電源短路的開關(guān)放電裝置。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的防止電源短路的開關(guān)放電裝置及移動終端中，所述防止電源短路的開關(guān)放電裝置包括檢測模塊、開關(guān)電路和放電電路，由檢測模塊檢測卡托的插拔狀態(tài)并輸出相應(yīng)的電平信號，開關(guān)電路根據(jù)所述電平信號控制最外側(cè)卡槽的電源導(dǎo)通或關(guān)閉，放電電路在最外側(cè)卡槽的電源關(guān)閉時控制供電通路上的剩余電荷釋放到地，開關(guān)電路根據(jù)卡托的插拔狀態(tài)能從電源端關(guān)閉供電電源，同時在電源關(guān)閉時通過放電電路將剩余電荷快速釋放到地，保證卡托在拔出過程中SIM卡不會因?yàn)橥鈧?cè)卡槽上的供電未斷開而被燒壞。

附圖說明

圖1 為現(xiàn)有技術(shù)中多合一卡托和卡槽的示意圖。

圖2 為本發(fā)明提供的防止電源短路的開關(guān)放電裝置的結(jié)構(gòu)框圖。

圖3 為本發(fā)明提供的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中開關(guān)電路的電路圖。

圖4 為本發(fā)明提供的防止電源短路的開關(guān)放電裝置中放電電路的電路圖。

圖5 為傳統(tǒng)RC放電電路的放電時間示意圖。

圖6 為本發(fā)明提供的防止電源短路的開關(guān)放電裝置的放電時間示意圖。