[發(fā)明專利]熒光體及其應用的發(fā)光裝置與背光模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710000878.9 | 申請日： | 2017-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN108269904B | 公開（公告）日： | 2019-12-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 虞宏達 | 申請（專利權(quán)）人： | 瑞軒科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 11006 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新北市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;TW |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熒光粉 熒光體 氟化物摻雜 背光模塊 發(fā)光裝置 氮化物 摻雜 色彩飽和度 頻譜 殘光 紅光 應用 影像 配置 | ||
1.一種熒光體，其特征在于，包含：
一紅色熒光粉，包含：
一氮化物摻雜銪熒光粉；以及
一氟化物摻雜錳熒光粉，其中該氮化物摻雜銪熒光粉的發(fā)射光的最大光強度對應的波長大于該氟化物摻雜錳熒光粉的發(fā)射光的最大光強度對應的波長，且該氮化物摻雜銪熒光粉與該氟化物摻雜錳熒光粉的重量比值在17.5％至22.5％的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，其中該氮化物摻雜銪熒光粉的材料為Sr2Si5N8:Eu2+。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，其中該氟化物摻雜錳熒光粉的材料為K2SiF6: Mn4+。
4.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包含：
一發(fā)光本體，用以發(fā)出具有一第一頻譜的光線；以及
如權(quán)利要求1所述的熒光體，設置于該發(fā)光本體的至少一側(cè)，其中具有該第一頻譜的光線經(jīng)該熒光體后會部分轉(zhuǎn)換為具有一第二頻譜的光線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該第二頻譜在波長650納米的光強度與在波長630納米的光強度的比值為0.1:0.47。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該發(fā)光本體為一藍光二極管芯片。
7.一種背光模塊，其特征在于，包含：
一背板；
多個如權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，設置于該背板上；以及
一驅(qū)動器，電性連接所述發(fā)光裝置的該發(fā)光本體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光模塊，其特征在于，其中該驅(qū)動器適用于獨立控制一第一部分的所述發(fā)光裝置以及一第二部分的所述發(fā)光裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光模塊，其特征在于，其中該驅(qū)動器適用于以高于60赫茲的頻率控制所述發(fā)光裝置的該發(fā)光本體所發(fā)出的該第一頻譜的光線的強度，進而影響該第二頻譜的光線的強度。
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