[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680090969.X
• 申請日: 2016-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN110024118A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大串直弘;田口晃一
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/28;H01L23/48;H01L25/18
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

半導(dǎo)體芯片；

殼體，其將所述半導(dǎo)體芯片包圍；

殼體電極，其安裝于所述殼體的上表面；

導(dǎo)線，其與所述半導(dǎo)體芯片、所述殼體電極連接；

第1按壓部，其在相比于所述殼體電極的與所述導(dǎo)線接合的接合部分更靠外側(cè)處，將所述殼體電極按壓于所述殼體的所述上表面；以及

第2按壓部，其在與所述接合部分相比更靠內(nèi)側(cè)處，將所述殼體電極按壓于所述殼體的所述上表面，

在所述殼體的所述上表面設(shè)置有凹部，

所述殼體電極被以進(jìn)入所述凹部的方式彎折加工，

所述第2按壓部配置于所述凹部內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述凹部與所述殼體的內(nèi)端面分離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

在所述殼體電極的被進(jìn)行了彎折加工的部分設(shè)置有貫穿孔。

4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

半導(dǎo)體芯片；

殼體，其將所述半導(dǎo)體芯片包圍；

殼體電極，其安裝于所述殼體的上表面；

導(dǎo)線，其與所述半導(dǎo)體芯片、所述殼體電極連接；

第1按壓部，其在相比于所述殼體電極的與所述導(dǎo)線接合的接合部分更靠外側(cè)處，將所述殼體電極按壓于所述殼體的所述上表面；以及

第2按壓部，其在與所述接合部分相比更靠內(nèi)側(cè)處，將所述殼體電極按壓于所述殼體的所述上表面，

在所述殼體電極的上表面設(shè)置有凹部，

所述第2按壓部配置于所述凹部內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述凹部是朝向下方而寬度變窄的貫穿孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述凹部是剖面形狀為梯形的貫穿孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第2按壓部的上表面的高度不高于所述殼體電極的所述接合部分的上表面。

8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

半導(dǎo)體芯片；

殼體，其將所述半導(dǎo)體芯片包圍；

殼體電極，其安裝于所述殼體的上表面；以及

導(dǎo)線，其與所述半導(dǎo)體芯片、所述殼體電極連接，

在所述殼體電極的側(cè)面設(shè)置有凹部，

在所述凹部內(nèi)填充殼體樹脂，從而所述殼體電極被固定至所述殼體。

9.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

半導(dǎo)體芯片；

殼體，其將所述半導(dǎo)體芯片包圍；

殼體電極，其安裝于所述殼體的上表面；

導(dǎo)線，其與所述半導(dǎo)體芯片、所述殼體電極連接；

第1按壓部，其在相比于所述殼體電極的與所述導(dǎo)線接合的接合部分更靠外側(cè)處，將所述殼體電極按壓于所述殼體的所述上表面；以及

第2按壓部，其在與所述接合部分相比更靠內(nèi)側(cè)處，將所述殼體電極按壓于所述殼體的所述上表面，

所述第2按壓部是沿著所述導(dǎo)線的錐形形狀。

10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

半導(dǎo)體芯片；

殼體，其將所述半導(dǎo)體芯片包圍；

殼體電極，其安裝于所述殼體的上表面；

導(dǎo)線，其與所述半導(dǎo)體芯片、所述殼體電極連接；

第1按壓部，其在相比于所述殼體電極的與所述導(dǎo)線接合的接合部分更靠外側(cè)處，將所述殼體電極按壓于所述殼體的所述上表面；以及

第2按壓部，其在與所述接合部分相比更靠內(nèi)側(cè)處，將所述殼體電極按壓于所述殼體的所述上表面，

所述第2按壓部是粘接材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體芯片由寬帶隙半導(dǎo)體形成。