[發明專利]電致變色納米粒子在審
| 申請號: | 201680083111.0 | 申請日: | 2016-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN108699430A | 公開(公告)日: | 2018-10-23 |
| 發明(設計)人: | 具尚模 | 申請(專利權)人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | C09K9/00 | 分類號: | C09K9/00;C09K9/02 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 楊海榮;穆德駿 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電致變色材料 電致變色 納米粒子 過渡金屬氧化物 殼結構 包圍 | ||
1.一種電致變色納米粒子,包含:由第一電致變色材料形成的核;和包圍所述核并由第二電致變色材料形成的殼,其中所述第一電致變色材料由至少一種類型的過渡金屬氧化物形成。
2.根據權利要求1所述的電致變色納米粒子,其中當向所述納米粒子施加等于或大于基準值的電壓時,所述納米粒子從第一狀態轉變為第二狀態,并且當向呈所述第二狀態的所述納米粒子施加等于或大于所述基準值的反向電壓時,所述納米粒子從所述第二狀態轉變為所述第一狀態,并且所述納米粒子在所述第一狀態和所述第二狀態下具有不同的透光率。
3.根據權利要求2所述的電致變色納米粒子,其中當所述納米粒子從所述第一狀態轉變為所述第二狀態時,在400nm至800nm波長帶內的各波長下的透光率降低到0.06倍至0.6倍。
4.根據權利要求3所述的電致變色納米粒子,其中呈所述第一狀態的所述納米粒子在400nm至800nm波長帶內的各波長下的透光率為15%至90%,并且呈所述第二狀態的所述納米粒子在400nm至800nm波長帶內的各波長下的透光率為5%至30%。
5.根據權利要求2所述的電致變色納米粒子,其中當所述納米粒子從所述第一狀態轉變為所述第二狀態時,在400nm至500nm波長帶內的各波長下的透光率降低到0.65倍至0.80倍,并且在500nm至800nm波長帶內的各波長下的透光率降低到0.20倍至0.80倍。
6.根據權利要求5所述的電致變色納米粒子,其中
呈所述第一狀態的所述納米粒子在400nm至500nm波長帶內的各波長下的透光率為15%至60%,且在500nm至800nm波長帶內的各波長下的透光率為60%至80%,并且
呈所述第二狀態的所述納米粒子在400nm至500nm波長帶內的各波長下的透光率為10%至50%,且在500nm至800nm波長帶內的各波長下的透光率為17%至50%。
7.根據權利要求1所述的電致變色納米粒子,其中所述第一電致變色材料由鎢氧化物、鉬氧化物、鉭氧化物、鈮氧化物、釩氧化物、鐵氧化物、錫氧化物、鉍氧化物、鈰氧化物、錳氧化物、鉻氧化物、鈷氧化物、銠氧化物、銥氧化物和鎳氧化物中的至少一種形成。
8.根據權利要求1所述的電致變色納米粒子,其中所述第二電致變色材料是由以下化學式1至7表示的化合物中的任一種,
[化學式1]
[化學式2]
[化學式3]
[化學式4]
[化學式5]
[化學式6]
[化學式7]
在化學式1至7中,X-是BF4-、ClO4-、CF3SO3-、F-、Cl-、Br-和I-中的任一種,并且
在化學式7中,R1和R2是甲基基團、乙基基團、丙基基團、丁基基團、戊基基團、己基基團、庚基基團、辛基基團、異戊基基團和芐基基團中的任一種。
9.根據權利要求1所述的電致變色納米粒子,其中所述第二電致變色材料是聚噻吩、聚(3-甲基噻吩)、聚吡咯、聚(3-甲基酮吡咯)、聚(3,4-二甲基吡咯)、聚(N-甲基吡咯)、聚苯胺、聚(2-甲基苯胺)和聚(3-甲基苯胺)中的任一種。
10.根據權利要求1所述的電致變色納米粒子,其中所述第二電致變色材料由至少一種類型的過渡金屬氧化物形成,并且所述第一電致變色材料和所述第二電致變色材料由不同類型的過渡金屬氧化物形成。
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