[發明專利]靜電放電防護結構有效
| 申請號： | 201680078090.3 | 申請日： | 2016-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN108541343B | 公開（公告）日： | 2021-05-18 |
| 發明（設計）人： | 德瑞坦·瑟婁;多米尼克·約翰·古德威爾;艾瑞克·伯尼爾 | 申請（專利權）人： | 華為技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/02 | 分類號： | H01L31/02;H01L31/105;H01L31/0232;H01L27/02;H01L27/144;H01L27/146;G02B6/00 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凱 |
| 地址： | 518129 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 靜電 放電 防護 結構 | ||
1.一種光電二極管組件，包括：
光電二極管，其中所述光電二極管被配置為PN橫向結二極管或垂直PIN二極管；
波導，所述波導與所述光電二極管通信；以及
防護結構，所述防護結構圍繞所述光電二極管的周圍延伸并且包括二極管，
其中，所述防護結構包括圍繞所述光電二極管的防護環，所述防護環具有開口，且所述開口在所述防護結構中的位置被設置成對應于所述波導至所述光電二極管的入口；
其中，所述開口位于所述波導面向所述光電二極管或背離所述光電二極管的一側，并且所述開口與所述入口在與所述波導的平面垂直的方向上位置對應。
2.根據權利要求1所述的光電二極管組件，其中，所述光電二極管包括Si、SiGe、III-V族材料或其組合。
3.根據權利要求1或2所述的光電二極管組件，其中，所述防護結構包括PIN或PN橫向結二極管、P+/N阱或N+/P-阱垂直結、齊納二極管或其組合。
4.根據權利要求1所述的光電二極管組件，其中，所述防護環具有兩個開口，所述兩個開口在所述防護結構中被設置成對應于所述波導至所述光電二極管中的入口。
5.根據權利要求1所述的光電二極管組件，其中，所述防護結構包括Si、Ge、SiGe、III-V族材料或其任何組合。
6.根據權利要求1所述的光電二極管組件，其中，所述波導包括硅波導。
7.根據權利要求1所述的光電二極管組件，其中，所述防護結構部分地與所述波導共面。
8.根據權利要求1所述的光電二極管組件，其中，所述防護結構設置在與所述波導的平面平行的平面中并且與所述波導隔開，使得所述防護結構不吸收在由所述光電二極管檢測到的光的波長處的光。
9.根據權利要求1所述的光電二極管組件，其中，所述開口中填充在由所述光電二極管檢測到的光的波長處光學透明的材料。
10.根據權利要求1所述的光電二極管組件，其中，所述防護結構包括兩個相對的間隙。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
