[發(fā)明專利]用于x射線發(fā)射裝置的靶組件和x射線發(fā)射裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680073027.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108701575B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: I·G·黑格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 尼康計(jì)量公眾有限公司
• 主分類號(hào): H01J35/16
• 分類號(hào): H01J35/16;H01J35/08
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 王永建

1.一種用于x射線發(fā)射裝置的靶組件，所述裝置包括：

具有至少一個(gè)導(dǎo)電壁的真空腔室；

突出穿過(guò)所述導(dǎo)電壁的絕緣元件；

高電壓元件，其沿著所述絕緣元件從所述腔室的外部延伸到所述絕緣元件的距離所述導(dǎo)電壁最遠(yuǎn)的端部部分；

設(shè)置在所述絕緣元件的所述端部部分處并且電連接到所述高電壓元件的x射線產(chǎn)生靶；以及

抑制電極，其設(shè)置在所述絕緣元件的所述端部部分處，并且配置成抑制從所述絕緣元件的外表面和所述導(dǎo)電壁的內(nèi)表面之間的結(jié)合部發(fā)射的電子朝向所述絕緣元件的外表面的加速。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極電連接到所述高電壓元件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極從所述絕緣元件的所述端部部分朝向所述導(dǎo)電壁延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極圍繞所述絕緣元件的長(zhǎng)度的至少一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極具有從所述絕緣元件的所述端部部分向外漸變的漸變部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極具有最接近所述導(dǎo)電壁的平行部分，所述平行部分基本平行于所述電極的外表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極由片材形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極由金屬形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述高電壓元件為導(dǎo)體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極在最接近所述導(dǎo)電壁的端部處具有增厚區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極的面對(duì)所述導(dǎo)電壁的邊緣被圓化。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組件，其特征在于，所述x射線產(chǎn)生靶支撐在靶殼體中。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的靶組件，其特征在于，所述抑制電極從所述靶殼體延伸。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶組件，其特征在于，所述真空腔室具有用于接收電子束的孔。

15.根據(jù)權(quán)利要求12、13或14所述的靶組件，其特征在于，所述真空腔室具有用于通過(guò)從所述x射線產(chǎn)生靶產(chǎn)生的x射線的孔。

16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述導(dǎo)電壁具有平坦的內(nèi)表面。

17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述高電壓元件設(shè)置成相對(duì)于所述導(dǎo)電壁提供至少+100kV的電勢(shì)。

18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述高電壓元件設(shè)置成相對(duì)于所述導(dǎo)電壁提供至少+150kV的電勢(shì)。

19.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述高電壓元件設(shè)置成相對(duì)于所述導(dǎo)電壁提供至少+200kV的電勢(shì)。

20.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靶組件，其特征在于，所述導(dǎo)電壁設(shè)置成接地。

21.一種x射線發(fā)射裝置，其包括：

根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的靶組件，以及

電子束裝置，其設(shè)置成朝向x射線產(chǎn)生靶加速電子束，從而產(chǎn)生x射線輻射。