[發明專利]等離子體浸沒式離子注入機的控制方法和偏壓電源

有效

• 申請號: 201680071912.5
• 申請日: 2016-12-05
• 公開（公告）號: CN109075005B
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: F·托瑞格羅薩;L·洛克斯
• 申請（專利權）人: 離子射線服務公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C14/48;H01L21/223
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 郭思宇

1.一種用于在基底(SUB)的等離子體浸沒中操作的離子注入機的控制方法，包括：

注入階段([1])，在其間等離子體被激發，并且基底(SUB)被施加負偏壓，

中立化階段([2])，在其間等離子體被激發，并且基底(SUB)被施加正偏壓或零偏壓，

抑制階段([3])，在其間等離子體被熄滅，

基底(SUB)處的帶負電粒子的排出階段([4])，在其間等離子體被熄滅，

其中所述排出階段的持續時間大于5μs，以及

在所述排出階段([4])之后，所述方法包括預備階段([5])，在其間等離子體被熄滅并且基底(SUB)被施加正偏壓或零偏壓。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述排出階段([4])期間，基底(SUB)被施加負偏壓。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述注入機包括位于該基底(SUB)外圍的回收電極(LIN)，在所述排出階段([4])期間，所述回收電極被施加正偏壓。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于在所述抑制階段([3])期間，基底(SUB)被施加正偏壓或零偏壓。

5.一種用于在基底(SUB)的等離子體浸沒中操作的離子注入機的控制模塊，所述離子注入機包括用于對離子注入機進行偏壓的基底電源(PS)、用于為射頻天線(ANT)供電的等離子體電源(AP)和用于控制基底電源(PS)和等離子體電源(AP)的控制電路(CC)，所述基底電源(PS)包括：

正極接地的第一發電機(HT)，

第一開關(SW1)，其第一極連接到所述第一發電機(HT)的負極并且其第二極連接到該電源(PS)的輸出端子(S)，

第二開關(SW2)，其第一極連接到補償端子(P)并且其第二極連接到所述輸出端子(S)，所述輸出端子(S)連接到離子注入機的基底承載板(PPS)，

其中所述電源包括第三開關(SW3)，其第一極連接到輔助發電機(GA)的負極并且其第二極連接到所述輸出端子(S)，所述輔助發電機(GA)的正極連接到連接端子(L)，

其中所述控制模塊被配置為在用于在等離子體浸沒中操作的離子注入機的控制方法的排出階段([4])之后執行預備階段([5])，在所述預備階段([5])期間，等離子體被熄滅并且基底(SUB)被施加正偏壓或零偏壓，所述預備階段([5])包括：

保持等離子體電源(AP)被禁用，

保持第一開關(SW1)被打開，

閉合第二開關(SW2)，和

打開第三開關(SW3)。

6.根據權利要求5所述的離子注入機的控制模塊，其特征在于所述連接端子(L)接地。

7.根據權利要求5所述的離子注入機的控制模塊，其特征在于，所述注入機包括回收電極(LIN)，所述連接端子(L)連接到該回收電極。

8.根據權利要求5至7中任一項所述的離子注入機的控制模塊，其特征在于所述補償端子(P)接地。

9.根據權利要求5至7中任一項所述的離子注入機的控制模塊，其特征在于所述補償端子(P)連接到第二發電機(GP)的正極，所述第二發電機(GP)的負極接地。