[發(fā)明專利]經(jīng)涂覆的柔性組件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680069437.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108292667B | 公開(公告)日: | 2022-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 哈拉爾德·考斯滕鮑爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 普蘭西股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市萬慧達(dá)律師事務(wù)所 11111 | 代理人: | 谷雪霓;段曉玲 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 經(jīng)涂覆 柔性 組件 | ||
1.經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其包括
-柔性基板(2),
-至少一層基于難熔金屬的金屬涂層(3),該涂層是
MoRe涂層,
基于Mo的MoXRe涂層,其中X=Nb,Ta,Ti,W,
WRe涂層,或
基于W的WXRe涂層,其中X=Nb,Ta,Ti,Mo,
其特征在于基于難熔金屬的涂層(3)包含大于6原子%且小于50原子%的Re。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中基于難熔金屬的涂層(3)包含大于6原子%且小于35原子%的Re。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中基于難熔金屬的涂層(3)的厚度小于1μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中基于難熔金屬的涂層(3)的厚度為5至300nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中柔性基板(2)為透明的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中柔性基板(2)包含至少一種選自聚合物、薄玻璃、金屬箔、無機(jī)材料的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中,基于難熔金屬的涂層(3)在彈性應(yīng)變?chǔ)艦?%時(shí)的電阻R與在開始測量時(shí)的電阻R0的比例R/R0小于1.2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中經(jīng)涂覆的柔性組件(1)具有至少一個(gè)導(dǎo)體軌道結(jié)構(gòu)(4)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中至少一個(gè)導(dǎo)體軌道結(jié)構(gòu)(4)具有至少一層由Cu、Al、Ag、Cu基合金、Al基合金或Ag基合金組成的金屬層(5)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中基于難熔金屬的涂層(3)是至少一個(gè)導(dǎo)體軌道結(jié)構(gòu)(4)的一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中基于難熔金屬的涂層(3)設(shè)置在柔性基板(2)與由Cu、Al、Ag、Cu基合金、Al基合金或Ag基合金組成的金屬層(5)之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中經(jīng)涂覆的柔性組件(1)還包含至少一層半導(dǎo)體層(6)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中基于難熔金屬的涂層(3)為TFT結(jié)構(gòu)的一部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),其中經(jīng)涂覆的柔性組件(1)為選自以下的組件:柔性LCD顯示器、柔性O(shè)LED顯示器、柔性電泳顯示器(電子紙)、柔性太陽能電池、電致變色柔性膜、柔性薄膜電池。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的經(jīng)涂覆的柔性組件(1),所述柔性組件(1)為柔性電子組件。
16.制備經(jīng)涂覆的組件(1)方法,所述方法至少包括以下步驟:
-提供柔性基板(2);
-通過沉積至少一層基于難熔金屬的金屬涂層(3)來涂覆柔性基板(2),該涂層是
MoRe涂層,
基于Mo的MoXRe涂層,其中X=Nb,Ta,Ti,W,
WRe涂層,或
基于W的WXRe涂層,其中X=Nb,Ta,Ti,Mo,
其特征在于基于難熔金屬的涂層(3)包含大于6原子%且小于50原子%的Re。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于普蘭西股份有限公司,未經(jīng)普蘭西股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680069437.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





