[發明專利]電子部件的制造方法、暫時固定用樹脂組合物、暫時固定用樹脂膜及暫時固定用樹脂膜片材

有效

• 申請號: 201680068718.1
• 申請日: 2016-11-24
• 公開（公告）號: CN108292590B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 牧野龍也;祖父江省吾;德安孝寬;石井學
• 申請（專利權）人: 昭和電工材料株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/304;H01L21/683
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗

本發明的電子部件的制造方法具備以下工序：通過膜狀的暫時固定材料將成為構成電子部件的構件的被加工體暫時固定在支撐體上的工序；對暫時固定在支撐體上的被加工體進行加工的工序；以及將經加工的被加工體從支撐體及膜狀的暫時固定材料上分離的分離工序，其中，所述暫時固定用樹脂組合物含有(A)反應性官能團非不均性(甲基)丙烯酸系共聚物。

技術領域

本發明涉及電子部件的制造方法，更詳細地說涉及具備對使用暫時固定材料暫時固定在支撐體上的被加工體進行加工的工序的電子部件的制造方法。另外，本發明涉及制造電子部件時所使用的暫時固定用樹脂組合物、暫時固定用樹脂膜及暫時固定用樹脂膜片材。

背景技術

電子部件的領域中，與疊置多個半導體元件而得到的被稱作SIP(System inPackage，系統級封裝)的封裝有關的技術成長顯著。SIP型封裝中，為了將半導體元件多個層疊，要求半導體元件的厚度盡可能地薄。這樣的半導體元件例如通過在具有一定厚度的半導體晶片中組裝了集成電路之后，將通過對半導體晶片的背面進行研磨而薄化了的半導體晶片實施單片化來制作。半導體晶片的加工利用暫時固定材料將半導體晶片暫時固定在支撐體上來進行(例如參照專利文獻1)。

就半導體元件的連接而言，以往引線接合法是主流，但近年來被稱作TSV(硅貫穿電極)的連接方法倍受關注，被熱烈地進行了探討。制作具有貫穿電極的半導體元件時，在半導體晶片的薄化后進一步實施形成貫穿電極的加工。此時，伴有將半導體晶片加熱至300℃左右的高溫工藝。

另外，在經薄化的半導體晶片上對半導體芯片進行倒裝片安裝、從而制作晶圓級封裝的方法也受到關注。倒裝片安裝工藝中，為了使焊料熔融，有必要加熱至260℃以上。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2008/045669號小冊子

發明內容

發明要解決的技術問題

因此，對于上述制造工序中使用的暫時固定材料，要求在半導體晶片的研磨、半導體晶片上的安裝等時將支撐體與半導體晶片牢固地固定的粘接性和高溫工藝中的耐熱性。另一方面，對于暫時固定材料要求能夠將加工后的半導體晶片從支撐體上容易地分離的剝離性。特別是要求，為了不發生對半導體芯片的損傷及翹曲問題而能夠盡量在低溫下將半導體晶片與支撐體分離，并且在半導體晶片上不殘留暫時固定材料。

專利文獻1所記載的暫時固定材料具有對于在半導體晶片上形成貫穿電極時的高溫工藝及對形成了貫穿電極的半導體晶片之間進行連接時的高溫工藝的耐熱性不充分的傾向。當暫時固定材料的耐熱性不充分時，易于發生在高溫工藝中暫時固定材料發生熱分解、半導體晶片從支撐體上剝落的不良情況。

還考慮到使用具有高玻璃化轉變溫度(Tg)的聚酰亞胺等通常耐熱性優異的樹脂。但是，為了易于確保加工時的平坦性而將暫時固定材料加工成膜狀時，由于樹脂的玻璃化轉變溫度高，因此在對半導體晶片與支撐體進行充分固定時必須在高溫下進行貼合，有可能會對半導體晶片造成損傷。因而，對于膜狀的暫時固定材料，要求即便是在低溫下進行貼合也可以沒有空隙地將半導體晶片上的高低差填埋、且能夠將半導體晶片與支撐體充分固定的低溫粘貼性。

本發明鑒于上述事實而作出，其目的在于提供能夠形成具有優異的低溫粘貼性及充分的耐熱性、能夠將半導體芯片、半導體晶片等被加工體充分固定在支撐體上、且可將加工后的被加工體容易地從支撐體及暫時固定材料上分離的膜狀的暫時固定材料的暫時固定用樹脂組合物，以及使用了該暫時固定用樹脂組合物的暫時固定用樹脂膜及暫時固定用樹脂膜片材。

另外，本發明的目的在于提供使用具有充分的耐熱性、能夠將半導體芯片、半導體晶片等被加工體充分固定在支撐體上、且能夠將加工后的被加工體從支撐體及暫時固定材料上容易地分離的膜狀的暫時固定材料的電子部件的制造方法。

用于解決技術問題的手段