[發(fā)明專利]通過預(yù)反應(yīng)樣品的留存進(jìn)行放熱反應(yīng)分析

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680068323.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-22
• 公開（公告）號(hào): CN108463432A
• 公開（公告）日: 2018-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 達(dá)倫·R·伯吉斯;邁克爾·雷蒙德·格林沃爾德;布倫特·W·巴比
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 友邦控股有限公司;達(dá)倫·R·伯吉斯;邁克爾·雷蒙德·格林沃爾德;布倫特·W·巴比
• 主分類號(hào): C01B3/16
• 分類號(hào): C01B3/16;F28D7/00;B01J8/02
• 代理公司: 杭州千克知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33246
• 代理人: 裴金華

1.一種研究反應(yīng)堆內(nèi)放熱反應(yīng)過程的方法，包括：

將試樣放置在反應(yīng)堆的內(nèi)部；

將反應(yīng)材料沉積在所述反應(yīng)堆的所述內(nèi)部；

移除涂覆有所述反應(yīng)材料樣品的所述試樣；

觸發(fā)所述反應(yīng)堆內(nèi)的放熱反應(yīng)；

在放熱反應(yīng)之后，從所述反應(yīng)堆中移除部分反應(yīng)物質(zhì)；以及

將涂覆在所述試樣上的所述樣品的一個(gè)或多個(gè)性質(zhì)與從所述反應(yīng)堆移除的所述材料的所述一種或多種性質(zhì)進(jìn)行比較。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用一個(gè)或多個(gè)原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡、掃描隧道電子顯微鏡、X射線隧穿電子顯微鏡、X射線光電子能譜和X射線衍射，來分析從所述反應(yīng)堆移除的材料和涂覆在所述試樣上的所述樣品的所述一種或多種性質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)材料包括通過濺射沉積涂覆有鉑的金箔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)材料包括從硝酸銀沉淀的硝酸銀粒子。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)材料包括通過化學(xué)氣相沉積涂覆有鈀的氧化鋁粒子。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)堆包括濕電池反應(yīng)堆，所述試樣放置在所述濕電池反應(yīng)堆的電極上，并且當(dāng)將所述反應(yīng)材料電鍍?cè)谒鲭姌O上時(shí)，所述試樣涂覆有所述反應(yīng)材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述反應(yīng)堆包括干電池反應(yīng)堆，所述試樣放置在所述干電池反應(yīng)堆的內(nèi)壁上，并且當(dāng)將所述反應(yīng)材料放置在所述干電池反應(yīng)堆的內(nèi)壁上時(shí)，所述試樣涂覆有所述反應(yīng)材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將反應(yīng)材料沉積在所述反應(yīng)堆的內(nèi)壁上包括將所述反應(yīng)材料電鍍?cè)谒龇磻?yīng)堆的所述內(nèi)壁上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述試樣由在反應(yīng)堆內(nèi)部的條件下不與所述反應(yīng)材料相互作用的材料制成。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述試樣由金制成。

11.一種研究放熱反應(yīng)堆內(nèi)反應(yīng)過程的方法，包括：

放置準(zhǔn)備用于放熱反應(yīng)堆的第一材料；

用第二材料掩蔽所述第一材料的第一部分；

進(jìn)行至少一個(gè)放熱反應(yīng)過程；

在所述放熱反應(yīng)過程之后，

從所述第一材料移除所述第二材料；

在被掩蔽的位置和未被掩蔽的位置處分析所述第一材料的一個(gè)或多個(gè)性質(zhì)；以及

比較所述分析的結(jié)果，以識(shí)別對(duì)所述反應(yīng)堆中的所述第一材料的暴露部分進(jìn)行的一個(gè)或多個(gè)過程。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二材料包括具有足夠高的熔點(diǎn)和化學(xué)穩(wěn)定性的聚合物，從而最小程度地受所述放熱反應(yīng)過程影響。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中用第二材料掩蔽所述第一材料的一部分包括熔化所述第二材料，并將其施加到所述第一材料的表面上；并且其中從所述第一材料移除所述第二材料包括蝕刻掉所述第二材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中在被掩蔽的位置和未被掩蔽的位置處分析所述第一材料的所述一個(gè)或多個(gè)性質(zhì)包括使用原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡、掃描隧道電子顯微鏡、X射線隧道電子顯微鏡、X射線光電子能譜和X射線衍射。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述放熱反應(yīng)堆是干電池反應(yīng)堆，并且所述第一材料被電鍍?cè)谒龈呻姵胤磻?yīng)堆的內(nèi)部部分上。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述放熱反應(yīng)堆是濕電池反應(yīng)堆，并且所述第一材料被電鍍?cè)谒鰸耠姵胤磻?yīng)堆的電極上。