[發(fā)明專利]低熔點組合物、密封材料以及電子部件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680061377.5 | 申請日： | 2016-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN108137385B | 公開（公告）日： | 2021-05-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 池田拓朗 | 申請（專利權）人： | 日本山村硝子株式會社 |
| 主分類號： | C03C3/23 | 分類號： | C03C3/23;C09K3/10 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 馮雅;朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熔點 組合 密封材料 以及 電子 部件 | ||
1.一種低熔點密封材料，它是包含低熔點組合物而成的低熔點密封材料，
所述低熔點組合物包含選自Mo和W的一種或者兩種、以及Ag、I和O作為必需的構成要素而成，其特征在于，在作為陽離子和陰離子結合而成的式MQm/q所示的各種化合物的集合體，并且作為除氧化物離子(O2－)以外的陰離子全部與Ag離子結合而成的物質來表示該組合物時，該組合物中的這些化合物所占比例滿足如下的條件：
AgI·····12～82摩爾％，
AgO1/2···12～60摩爾％，
MoO3+WO3·6～28摩爾％，
ΣAgQ1/q··68～94摩爾％，以及
ΣMOm/2···18～88摩爾％，并且，
將R1定為堿金屬，將R2定為堿土金屬時，是(2×MoO3+2×WO3+3×PO5/2)/(AgO1/2+R1O1/2+2×R2O)＜1；
所述組合物對于氧化物表面顯示低接觸角；
式中M表示價數m的陽離子，Q表示價數q的陰離子。
2.一種低熔點密封材料，它是包含低熔點組合物而成的低熔點密封材料，
所述低熔點組合物包含選自Mo和W的一種或者兩種、以及Ag、I和O作為必需的構成要素而成，其特征在于，在作為陽離子和陰離子結合而成的式MQm/q所示的各種化合物的集合體，并且作為除氧化物離子(O2－)以外的陰離子全部與Ag離子結合而成的物質來表示該組合物時，該組合物中的這些化合物所占比例滿足如下的條件：
AgI·····12～82摩爾％，
AgO1/2···12～60摩爾％，
MoO3+WO3·6～28摩爾％，
ΣAgQ1/q··68～94摩爾％，以及
ΣMOm/2···18～88摩爾％，并且，
所述組合物的吸收端的波長λg在480nm以上；
式中M表示價數m的陽離子，Q表示價數q的陰離子。
3.如權利要求1或者2所述的低熔點密封材料，其特征在于，所述低熔點組合物僅包含選自Mo和W的一種或者兩種、以及Ag、I和O作為構成要素，并且是(2×MoO3+2×WO3)/AgO1/2＜1。
4.如權利要求1～3中任一項所述的低熔點密封材料，其特征在于，所述低熔點組合物實質上不包含AgF、AgCl以及AgBr。
5.一種電子部件，使用權利要求1～4中任一項的低熔點密封材料密封而成。
6.一種電子部件，包含使用權利要求1～4中任一項的低熔點密封材料相互接合的兩個以上的部件而成。
7.如權利要求5或者6所述的電子部件，其特征在于，它是晶體振子、半導體元件、SAW元件或者有機EL元件。
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