[發明專利]保護帶和半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201680058449.0
• 申請日: 2016-10-18
• 公開（公告）號: CN108140570B
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: 森山浩伸
• 申請（專利權）人: 迪睿合株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/301;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張桂霞;楊戩

1.半導體裝置的制造方法，其具有：

在形成有突起電極的晶片面上，粘貼依次具有粘接劑層、熱塑性樹脂層和基材膜層的保護帶的工序；

研磨上述晶片的上述保護帶粘貼面的相反面的工序；

在上述晶片的研磨面上粘貼粘合帶的工序；

殘留上述粘接劑層而剝離上述保護帶，去除其它層的工序；

切割粘貼有上述粘合帶的晶片，獲得單片的半導體芯片的工序；和

在上述切割之前使上述粘接劑層固化的工序，

上述固化后的粘接劑層的儲存剪切彈性模量為3.0E+08Pa~5.0E+09Pa，

上述粘貼前的保護帶的粘接劑層的厚度與上述突起電極的高度之比(粘貼前的粘接劑層的厚度/突起電極的高度)為1/30~1/6。

2.權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

上述粘接劑層使用粘接劑組合物形成，

上述粘接劑組合物含有成膜樹脂、熱固性樹脂、固化劑和填料，上述粘接劑組合物中填料的含量為3~35質量％。

3.權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

上述粘接劑層使用粘接劑組合物形成，

上述粘接劑組合物含有成膜樹脂、熱固性樹脂、固化劑和填料，上述粘接劑組合物中填料的含量為25~35質量％。

4.權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，上述粘貼前的保護帶的粘接劑層的厚度為10~30μm。

5.權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，上述突起電極的高度為100~300μm。

6.權利要求1~5的任一項中所述的半導體裝置的制造方法，其中，上述單片的半導體芯片的突起電極是焊料凸點，

所述方法進一步具有：將上述單片的半導體芯片與形成有帶焊劑的電極的基板在回流焊爐中接合的安裝工序。

7.一種保護帶，其是依次具有粘接劑層、熱塑性樹脂層和基材膜層，且上述粘接劑層被粘貼于形成有突起電極的晶片面的保護帶，

固化后的上述粘接劑層的儲存剪切彈性模量為3.0E+08Pa~5.0E+09Pa的范圍，

上述粘貼前的保護帶的粘接劑層的厚度與上述突起電極的高度之比(粘貼前的粘接劑層的厚度/突起電極的高度)為1/30~1/6。

8.權利要求7所述的保護帶，其中，

上述粘接劑層使用粘接劑組合物形成，

上述粘接劑組合物含有成膜樹脂、熱固性樹脂、固化劑和填料，上述粘接劑組合物中填料的含量為3~35質量％。

9.權利要求7所述的保護帶，其中，

上述粘接劑層使用粘接劑組合物形成，

上述粘接劑組合物含有成膜樹脂、熱固性樹脂、固化劑和填料，上述粘接劑組合物中填料的含量為25~35質量％。