[發明專利]加速器/減速器與控制其的離子束的方法及離子植入系統

有效

• 申請號: 201680057536.4
• 申請日: 2016-10-03
• 公開（公告）號: CN108140527B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 常勝武;克里斯汀·拉恩斯;威廉·里維特;丹尼爾·布洛斯南
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J27/02;H01J37/30
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種加速器/減速器，用以控制離子束，其特征在于，所述加速器/減速器包括：

第一電極，用以經由所述第一電極的孔傳導所述離子束，并對所述離子束施加第一電位；

透鏡，鄰近所述第一電極，所述透鏡用以經由所述透鏡的孔傳導所述離子束，并對所述離子束施加第二電位，所述第二電位是獨立于所述第一電位來施加；

終端，容納所述第一電極及所述透鏡，所述終端從離子源接收所述離子束；

絕緣體，包括分別延伸穿過所述終端的第一連接器以及第二連接器，其中所述第一連接器耦合至所述第一電極以及第一電壓源，所述第一電壓源施加所述第一電位，且其中所述第二連接器耦合至所述透鏡以及第二電壓源，所述第二電壓源施加所述第二電位；

第二電極，用以從所述透鏡接收所述離子束；以及

第三電極總成，用以從所述第二電極接收所述離子束。

2.根據權利要求1所述的加速器/減速器，其特征在于，還包括安置于所述透鏡與所述第二電極之間的第四電極。

3.根據權利要求1所述的加速器/減速器，其特征在于，所述絕緣體使所述第一電極與所述透鏡電絕緣。

4.根據權利要求1所述的加速器/減速器，其特征在于，所述第一電極是終端抑制電極，且其中所述第二電極是用以對所述離子束施加第三電位的聚焦電極。

5.根據權利要求1所述的加速器/減速器，其特征在于，所述第三電極總成包括：

接地電極；

接地抑制電極；以及

接地組件，其中所述接地電極、所述接地抑制電極及所述接地組件用以對所述離子束施加第四電位。

6.一種離子植入系統，其特征在于，包括：

離子源，用于產生離子束；以及

加速器/減速器，包括：

終端；

終端抑制電極，耦合至所述終端，所述終端抑制電極用以經由所述終端抑制電極的孔傳導所述離子束，并從第一電壓源對所述離子束施加第一電位；

透鏡，耦合至所述終端并鄰近所述終端抑制電極安置，其中所述透鏡用以經由所述透鏡的孔傳導所述離子束并從第二電壓源對所述離子束施加第二電位，所述第一電位與所述第二電位是獨立地受到控制，且其中所述透鏡與所述終端抑制電極電絕緣；

絕緣體，包括分別延伸穿過所述終端的第一連接器以及第二連接器，其中所述第一連接器耦合至所述終端抑制電極以及所述第一電壓源，且其中所述第二連接器耦合至所述透鏡以及所述第二電壓源；

聚焦電極，用以從所述透鏡接收所述離子束，所述聚焦電極用以對所述離子束施加第三電位；以及

接地電極總成，用以從所述聚焦電極接收所述離子束。

7.根據權利要求6所述的離子植入系統，其特征在于，還包括安置于所述透鏡與所述聚焦電極之間的終端電極。

8.一種控制加速器/減速器中的離子束的方法，其特征在于，包括：

對第一電極施加第一電位，以沿離子束線并經由所述第一電極的孔傳導所述離子束，其中經過絕緣體包括的第一連接器將所述第一電極耦合至第一電壓源，所述第一連接器延伸穿過終端，且所述第一電壓源施加所述第一電位；

對透鏡施加第二電位，以經由所述透鏡的孔傳導所述離子束，其中所述透鏡鄰近所述第一電極安置，且其中所述第一電位與所述第二電位是由不同的電壓源獨立地產生，其中經過所述絕緣體包括的第二連接器將所述透鏡耦合至第二電壓源，所述第二連接器延伸穿過所述終端，且所述第二電壓源施加所述第二電位，其中所述第一連接器與所述第二連接器使所述第一電極與所述透鏡電絕緣；

在第二電極處接收所述離子束；以及

在第三電極總成處從所述第二電極接收所述離子束。

9.根據權利要求8所述的控制加速器/減速器中的離子束的方法，其特征在于，還包括對所述第二電極施加第三電位以經由所述第二電極傳導所述離子束，且對所述第三電極總成施加第四電位以經由所述第三電極總成傳導所述離子束。