[發明專利]用于高縱橫比特征的干燥工藝有效
| 申請號: | 201680057046.4 | 申請日: | 2016-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN108140546B | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 羅曼·古科;陳翰文;史蒂文·韋爾韋貝克;簡·德爾馬斯 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 縱橫 特征 干燥 工藝 | ||
1.一種基板處理方法,包括以下步驟:
輸送溶劑至處理腔室;
以器件側向下的定向輸送基板至所述處理腔室;
在所述處理腔室內緊鄰于所述基板可移動地放置可移動擋板,所述可移動擋板配置為通過致動器從升高位置移動到處理位置;
輸送液態CO2至所述處理腔室且將所述液態CO2與所述溶劑混合;
輸送一分量大于所述處理腔室的容量的額外液態CO2至所述處理腔室,以置換所述溶劑;
在所述處理腔室中將所述液態CO2相轉變為超臨界CO2;及
通過等溫減壓所述處理腔室及自所述處理腔室排出氣體CO2來干燥所述基板。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述溶劑與液態CO2可互溶。
3.如權利要求1所述的方法,進一步包括以下步驟:在輸送液態CO2至所述處理腔室且將所述液態CO2與所述溶劑混合期間和/或在輸送一分量大于所述處理腔室的容量的額外液態CO2至所述處理腔室以置換所述溶劑期間,依序或同時輸送超臨界CO2至所述處理腔室。
4.如權利要求1所述的方法,其中在所述處理腔室中將所述液態CO2相轉變為超臨界CO2的所述步驟包括以下步驟:輸送超臨界CO2至所述處理腔室。
5.如權利要求4所述的方法,其中所述溶劑為丙酮且提供一分量的所述溶劑至所述處理腔室,所述分量經配置以至少部分地浸沒所述基板。
6.如權利要求4所述的方法,其中在所述處理腔室中將所述液態CO2相轉變為超臨界CO2的所述步驟進一步包括以下步驟:在低于1分鐘內將所述處理腔室的處理容積自20℃加熱至50℃。
7.如權利要求2所述的方法,其中所述溶劑選自由以下溶劑所組成的群組:丙酮、異丙醇、乙醇、甲醇、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基甲酰胺、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、二甲基乙酰胺、及二甲基亞砜。
8.一種基板處理方法,包括以下步驟:
輸送溶劑至處理腔室,所述溶劑與液態CO2可互溶;
以器件側向下的定向輸送基板至所述處理腔室;
在所述處理腔室內緊鄰于所述基板可移動地放置可移動擋板,所述可移動擋板配置為通過致動器從升高位置移動到處理位置;
輸送超臨界CO2至所述處理腔室且將所述超臨界CO2與所述溶劑混合;
輸送一分量大于所述處理腔室的容量的額外超臨界CO2至所述處理腔室,以置換所述溶劑;及
通過等溫減壓所述處理腔室及自所述處理腔室排出氣體CO2來干燥所述基板。
9.如權利要求8所述的方法,進一步包括以下步驟:通過輸送與液態CO2可互溶的所述溶劑至所述處理腔室,在所述處理腔室中將所述液態CO2相轉變為超臨界CO2。
10.如權利要求8所述的方法,其中所述溶劑為丙酮且提供一分量的所述溶劑至所述處理腔室,所述分量經配置以至少部分地浸沒所述基板。
11.如權利要求9所述的方法,其中在所述處理腔室中將所述液態CO2相轉變為超臨界CO2的所述步驟進一步包括以下步驟:在低于1分鐘內將所述處理腔室的處理容積自20℃加熱至50℃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





