[發明專利]碳化硅基板

有效

• 申請號: 201680056320.6
• 申請日: 2016-10-12
• 公開（公告）號: CN108026664B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 梶直樹;上田俊策;堀勉;原田真
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種碳化硅基板，其多數載流子密度為1×10¹⁷cm^-3以上，其中，

在除了自主表面的外周起算的距離為5mm以內的區域之外的區域中，通過μ-PCD分析得到的少數載流子壽命的標準偏差為0.7ns以下，

所述少數載流子壽命的標準偏差是通過在中心區域內以恒定間隔2mm排列的測量點處測量少數載流子壽命，并對在測量點處測得的少數載流子壽命進行統計處理以計算標準偏差而得到的，其中所述中心區域為在主表面中除了自主表面的外周起算的距離為5mm以內的外周區域之外的區域，

所述少數載流子壽命的平均值為1μs以下，且

所述多數載流子為n型載流子。

2.根據權利要求1所述的碳化硅基板，其中，

所述標準偏差為0.4ns以下。

3.根據權利要求1或2所述的碳化硅基板，其直徑為100mm以上。

4.根據權利要求1或2所述的碳化硅基板，其直徑為150mm以上。

5.根據權利要求1或2所述的碳化硅基板，其中，

所述少數載流子壽命的平均值為100ns以下。

6.根據權利要求3所述的碳化硅基板，其中，

所述少數載流子壽命的平均值為100ns以下。

7.根據權利要求4所述的碳化硅基板，其中，

所述少數載流子壽命的平均值為100ns以下。

8.根據權利要求1或2所述的碳化硅基板，其中，

所述少數載流子壽命的平均值為50ns以下。

9.根據權利要求3所述的碳化硅基板，其中，

所述少數載流子壽命的平均值為50ns以下。

10.根據權利要求4所述的碳化硅基板，其中，

所述少數載流子壽命的平均值為50ns以下。

11.根據權利要求1、2、6、7、9或10所述的碳化硅基板，其不包含碳夾雜物。

12.根據權利要求3所述的碳化硅基板，其不包含碳夾雜物。

13.根據權利要求4所述的碳化硅基板，其不包含碳夾雜物。

14.根據權利要求5所述的碳化硅基板，其不包含碳夾雜物。

15.根據權利要求8所述的碳化硅基板，其不包含碳夾雜物。