[發(fā)明專利]用于三維NAND非易失性存儲(chǔ)器裝置的方法和設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680053935.3
• 申請(qǐng)日: 2016-09-12
• 公開（公告）號(hào): CN108055874B
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J.劉;C.葛;J.阿爾斯梅爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桑迪士克科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/11551
• 分類號(hào): H01L27/11551
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種制造單片三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：

在襯底之上形成交替的字線和電介質(zhì)層的堆疊體；

在所述襯底之上形成源極線；

形成延伸穿過所述交替的字線和電介質(zhì)層以及所述源極線的存儲(chǔ)器孔；并且

在與所述存儲(chǔ)器孔相鄰的所述襯底上形成機(jī)械支撐元件。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

在所述存儲(chǔ)器孔中形成垂直溝道；

在所述存儲(chǔ)器孔中形成外部層和溝道；

選擇性地移除所述外部層的一部分以暴露所述溝道的外圍外部；并且

形成與所述溝道的暴露的外圍外部接觸的所述源極線。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述機(jī)械支撐元件包括在與所述溝道的暴露的外圍外部相鄰處形成所述機(jī)械支撐元件。

4.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，還包括：

在所述襯底上形成犧牲材料層；

在所述犧牲材料層和所述襯底中蝕刻溝槽；以及

在所述溝槽中形成所述機(jī)械支撐元件。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，還包括：

選擇性地移除所述犧牲材料層；以及

用所述源極線替代所述犧牲材料。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述機(jī)械支撐元件包括在所述襯底的第一區(qū)域上形成第一多個(gè)機(jī)械支撐元件，并且在所述襯底的第二區(qū)域上形成第二多個(gè)機(jī)械支撐元件。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述機(jī)械支撐元件之上形成所述交替的字線和電介質(zhì)層的所述堆疊體。

8.一種三維堆疊非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，包括：

設(shè)置在襯底之上的源極線；

設(shè)置在所述襯底之上的堆疊體，所述堆疊體包括交替的字線和電介質(zhì)層；

在存儲(chǔ)器孔中形成的存儲(chǔ)器單元的多個(gè)NAND串，所述存儲(chǔ)器孔延伸穿過所述源極線以及所述交替的字線和電介質(zhì)層，每個(gè)存儲(chǔ)器單元包括由字線層中的一個(gè)形成的控制柵極；以及

設(shè)置在與所述多個(gè)NAND串相鄰的所述襯底上的機(jī)械支撐元件。

9.如權(quán)利要求8所述的三維堆疊非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其中所述機(jī)械支撐元件包括多個(gè)機(jī)械支撐元件。

10.如權(quán)利要求8-9中任一項(xiàng)所述的三維堆疊非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其中所述機(jī)械支撐元件包括設(shè)置在所述存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的第一區(qū)域處的第一機(jī)械支撐元件的集合，設(shè)置在所述存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的第二區(qū)域處的第二機(jī)械支撐元件的集合，以及設(shè)置在所述存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的第三區(qū)域處的第三機(jī)械支撐元件。

11.如權(quán)利要求10所述的三維堆疊非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其中所述第一區(qū)域包括所述存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的第一外圍區(qū)域，所述第二區(qū)域包括所述存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的第二外圍區(qū)域，并且所述第三區(qū)域包括所述存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域。

12.如權(quán)利要求8所述的三維堆疊非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其中所述機(jī)械支撐元件延伸到基本上等于所述源極線的頂表面的高度的高度。

13.如權(quán)利要求8所述的三維堆疊非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其中所述機(jī)械支撐元件具有約500埃與約3500埃之間的高度。

14.如權(quán)利要求8所述的三維堆疊非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其中所述機(jī)械支撐元件包括多晶硅。

15.如權(quán)利要求8所述的三維堆疊非易失性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，其中所述NAND串的每一個(gè)包括包含與所述源極線接觸的外圍外部的垂直溝道。