[發(fā)明專利]碳化硅外延基板及制造碳化硅半導體裝置的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201680052727.1
• 申請日: 2016-08-04
• 公開（公告）號: CN108028185B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設計）人: 和田圭司;伊東洋典;寺尾岳見;神原健司;西口太郎
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/42;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/20
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

一種碳化硅外延基板，所述碳化硅外延基板包含碳化硅單晶基板和碳化硅層。所述碳化硅單晶基板具有第一主表面。所述碳化硅層在所述第一主表面上。所述碳化硅層包含在其與所述碳化硅單晶基板接觸的表面的相反側(cè)的第二主表面。所述第二主表面具有100mm以上的最大直徑。所述第二主表面包括從所述第二主表面的外緣起算3mm以內(nèi)的外周區(qū)域和由所述外周區(qū)域包圍的中心區(qū)域。所述中心區(qū)域具有75ppm以下的霧度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及碳化硅外延基板以及制造碳化硅半導體裝置的方法。本公開要求2015年10月13日提交的日本特開2015-202012號的優(yōu)先權(quán)，并通過引用的方式將其全部公開內(nèi)容并入本文中。

背景技術(shù)

日本特開2013-34007號公報(專利文獻1)公開了一種碳化硅外延基板，其特征在于不具有短臺階聚并。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-34007號公報

發(fā)明內(nèi)容

本公開的碳化硅外延基板包含碳化硅單晶基板和碳化硅層。碳化硅單晶基板具有第一主表面。碳化硅層位于第一主表面上。所述碳化硅層包含在其與所述碳化硅單晶基板接觸的表面的相反側(cè)的第二主表面。所述第二主表面具有100mm以上的最大直徑。所述第二主表面包括從所述第二主表面的外緣起算3mm以內(nèi)的外周區(qū)域和由所述外周區(qū)域包圍的中心區(qū)域。所述中心區(qū)域具有75ppm以下的霧度。

附圖說明

圖1為顯示本實施方案的碳化硅外延基板的構(gòu)造的示意性平面圖。

圖2為顯示本實施方案的碳化硅外延基板的構(gòu)造的示意性剖視圖。

圖3為顯示載流子濃度的測量位置的示意性平面圖。

圖4為沿圖5中的IV-IV線(左側(cè))取的示意性剖視圖以及沿圖6中的IV-IV線(右側(cè))取的示意性剖視圖。

圖5為顯示淺凹坑的示意性平面圖。

圖6為顯示深凹坑的示意性平面圖。

圖7為顯示淺凹坑(左側(cè))和深凹坑(右側(cè))的構(gòu)造的示意性剖視圖。

圖8為顯示深凹坑的第一實例的構(gòu)造的示意性平面圖。

圖9為顯示深凹坑的第二實例的構(gòu)造的示意性平面圖。

圖10為顯示深凹坑的第三實例的構(gòu)造的示意性平面圖。

圖11為顯示本實施方案的碳化硅外延基板的制造裝置的構(gòu)造的示意性透視側(cè)視圖。

圖12為顯示外延生長期間的條件控制的實例的時序圖。

圖13為顯示外延生長期間的條件控制的詳情的時序圖。

圖14為顯示基座板附近的構(gòu)造的第一實例的示意性平面圖。

圖15為顯示基座板附近的構(gòu)造的第二實例的示意性剖視圖。

圖16為顯示梯形缺陷的構(gòu)造的示意性平面圖。

圖17為沿圖16中的XVII-XVII線取的示意性剖視圖。

圖18為沿圖16中的XVIII-XVIII線取的示意性剖視圖。

圖19為圖16中的XIX區(qū)域的放大圖。

圖20為顯示三角形缺陷的構(gòu)造的示意性平面圖。

圖21為示意性顯示本實施方案的碳化硅半導體裝置的制造方法的流程圖。

圖22為顯示本實施方案的碳化硅半導體裝置的制造方法的第一步驟的示意性剖視圖。