[發明專利]用于使用靈活取樣的過程控制的方法及系統有效
| 申請號: | 201680052263.4 | 申請日: | 2016-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN108028210B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發明(設計)人: | O·德米雷爾;R·弗克維奇;W·皮爾遜;M·瓦格納;D·克萊因 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 使用 靈活 取樣 過程 控制 方法 系統 | ||
產生靈活的稀疏度量取樣圖包含:從度量工具接收來自一或多個晶片的度量信號全集;基于所述度量信號全集來確定一組晶片性質,且計算與所述組晶片性質相關聯的晶片性質度量;基于所述度量信號全集來計算一或多個獨立特性度量;以及基于所述組晶片性質、所述晶片性質度量及所述一或多個獨立特性度量來產生靈活的稀疏取樣圖。使用來自所述靈活的稀疏取樣圖的度量信號來計算的所述一或多個性質的所述一或多個獨立特性度量是在選自使用所述度量信號全集來計算的所述一或多個性質的一或多個獨立特性度量的閾值內。
本申請案與下列申請案(“相關申請案”)相關且要求所述申請案的最早可用有效申請日的權利(例如,對于相關申請案的任何及全部父母代申請案、祖父母代申請案、曾祖父母代申請案等等,要求除臨時專利申請案以外的最早可用優先權日,或根據35 USC§119(e)要求臨時專利申請案的權利)。
相關申請案:
為滿足USPTO附加法定要求,本申請案構成名為奧努爾·德米雷爾(OnurDemirer)、威廉·皮爾遜(William Pierson)及拉尼·沃爾科維奇(Roie Volkovich)的發明者于2015年6月18申請的名稱為使用靈活取樣的復合晶片控制(COMPOSITE WAFERCONTROL USING FLEXIBLE SAMPLING)的申請序列號為62/181,200的美國臨時專利申請案的非臨時專利申請案,所述申請案的全文以引用的方式并入本文中。
為滿足USPTO附加法定要求,本申請案構成名為馬克·瓦格納(Mark Wagner)、拉尼·沃爾科維奇、達娜·克萊因(Dana Klein)、比爾·皮爾森(Bill Pierson)及奧努爾·德米雷爾的發明者于2015年9月21申請的名稱為優化基于取樣的準確度(OPTIMIIZINGSAMPLING BASED ACCURACY)的申請序列號為62/221,588的美國臨時專利申請案的非臨時專利申請案,所述申請案的全文以引用的方式并入本文中。
技術領域
本發明大體上涉及用于光刻過程控制的晶片度量,且特定來說,本發明涉及用于減少噪聲且改進反饋處理工具反饋校正的靈活取樣圖的產生。
背景技術
制造例如邏輯及存儲器裝置的半導體裝置通常包含:使用大量制程來處理例如晶片的襯底以形成所述裝置的各種特征及多個層級。舉例來說,光刻術是涉及將圖案從光罩/掩模轉印到布置于晶片上的光致抗蝕劑的制程。制程的額外實例包含但不限于化學機械拋光(CMP)、蝕刻、沉積及離子植入。
如本發明中所使用,術語“晶片”一般是指由半導體或非半導體材料形成的襯底。舉例來說,半導體或非半導體材料可包含但不限于單晶硅、砷化鎵或磷化銦。晶片可包含一或多個層。舉例來說,此類層可包含但不限于光致抗蝕劑、電介質材料、導電材料及半導電材料。許多不同類型的此類層在所屬領域中是已知的,且如本文中所使用,術語“晶片”希望涵蓋其上可形成所有類型的此類層的晶片。形成于晶片上的一或多個層可經圖案化或未經圖案化。舉例來說,晶片可包含各自具有可重復圖案化特征的多個裸片。此類材料層的形成及處理最終可導致完成裝置。許多不同類型的裝置可形成于晶片上,且如本文中所使用,術語“晶片”希望涵蓋其上可制造所屬領域中已知的任何類型的裝置的晶片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于科磊股份有限公司,未經科磊股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201680052263.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:接觸電阻減小
- 下一篇:用于光刻法中的光刻膠清潔組合物及其用于處理襯底的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





