[發(fā)明專利]用于使用靈活取樣的過程控制的方法及系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680052263.4 | 申請日: | 2016-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN108028210B | 公開(公告)日: | 2022-07-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | O·德米雷爾;R·弗克維奇;W·皮爾遜;M·瓦格納;D·克萊因 | 申請(專利權(quán))人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 使用 靈活 取樣 過程 控制 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種度量系統(tǒng),其包括:
度量子系統(tǒng),其經(jīng)配置以對一或多個晶片執(zhí)行一或多個度量測量;和
控制器,其通信地耦合到所述度量子系統(tǒng)的一或多個部分,所述控制器包含經(jīng)配置以執(zhí)行程序指令的一或多個處理器,所述程序指令經(jīng)配置以引起所述一或多個處理器:
從所述度量子系統(tǒng)接收來自所述一或多個晶片的度量信號全集;
基于所述度量信號全集來確定一組晶片性質(zhì)且計(jì)算與所述組晶片性質(zhì)相關(guān)聯(lián)的晶片性質(zhì)度量;
基于所述度量信號全集來計(jì)算一或多個獨(dú)立特性度量;
基于所述組晶片性質(zhì)、所述晶片性質(zhì)度量及所述一或多個獨(dú)立特性度量而產(chǎn)生靈活的稀疏取樣圖,其中使用來自所述靈活的稀疏取樣圖的度量信號來計(jì)算的所述一組晶片性質(zhì)的一或多個獨(dú)立特性度量是在選自使用所述度量信號全集來計(jì)算的所述一組晶片性質(zhì)的所述一或多個獨(dú)立特性度量的閾值內(nèi),
指導(dǎo)所述度量子系統(tǒng)在多個所述靈活的稀疏取樣圖的位置處對兩個或多于兩個晶片執(zhí)行度量測量,其中多個所述靈活的稀疏取樣圖中的每一者與所述兩個或多于兩個晶片中的一者相關(guān)聯(lián);
通過組合來自在所述多個所述靈活的稀疏取樣圖的所述位置處執(zhí)行的所述度量測量的結(jié)果來形成度量信號的虛擬密集圖;以及
基于所述虛擬密集圖來計(jì)算處理工具可校正誤差。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的度量系統(tǒng),其中所述控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以:
產(chǎn)生至少一個額外的靈活稀疏取樣圖。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的度量系統(tǒng),其中所述控制器經(jīng)配置以指導(dǎo)所述度量子系統(tǒng)在所述靈活的稀疏取樣圖及至少所述額外的靈活稀疏取樣圖的位置處執(zhí)行一或多個度量測量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的度量系統(tǒng),其中所述控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以:
組合來自在所述靈活稀疏取樣圖及至少所述額外的靈活稀疏取樣圖的位置處執(zhí)行的所述一或多個度量測量的結(jié)果,以形成虛擬密集取樣圖。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的度量系統(tǒng),其中所述控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以:
基于所述虛擬密集取樣圖來計(jì)算一或多個可校正誤差。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的度量系統(tǒng),其中所述控制器進(jìn)一步經(jīng)配置以:
基于所述可校正誤差來調(diào)整一或多個處理工具。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的度量系統(tǒng),其中所述度量子系統(tǒng)包括:
基于成像的度量工具。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的度量系統(tǒng),其中所述度量子系統(tǒng)包括:
基于散射測量的度量工具。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的度量系統(tǒng),其中所述度量子系統(tǒng)包括:
集成度量工具。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的度量系統(tǒng),其中由所述控制器確定的所述組晶片性質(zhì)包括:
一組重疊值。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的度量系統(tǒng),其中由所述控制器確定的所述組晶片性質(zhì)包括:
一組側(cè)壁角度值。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的度量系統(tǒng),其中由所述控制器確定的所述組晶片性質(zhì)包括:
一組臨界尺寸值。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的度量系統(tǒng),其中由所述控制器計(jì)算的所述晶片性質(zhì)度量包括:
統(tǒng)計(jì)度量。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的度量系統(tǒng),其中所述統(tǒng)計(jì)度量包括:
平均值或標(biāo)準(zhǔn)偏差中的至少一個。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的度量系統(tǒng),其中所述一或多個獨(dú)立特性度量與所述組晶片性質(zhì)無關(guān)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





