[發明專利]處理裝置和準直器

有效

• 申請號: 201680052053.5
• 申請日: 2016-12-19
• 公開（公告）號: CN108026633B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 竹內將勝;加藤視紅磨;青山德博;寺田貴洋;德田祥典
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/35;H01L21/285
• 代理公司: 72002 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 房永峰

根據實施例的處理裝置包括物體放置單元、源放置單元、整流構件以及電源。所述物體放置單元被配置為具有放置在其上的物體。所述源放置單元布置成與所述物體放置單元分開并且被配置為具有放置在其上的粒子源，所述粒子源能夠朝著所述物體發射粒子。在從所述源放置單元至所述物體放置單元的第一方向上，所述整流構件布置在所述物體放置單元和所述源放置單元之間。所述電源被配置為向所述整流單元施加與所述粒子中的電荷的極性具有相同極性的電壓。

技術領域

本發明的實施例涉及一種處理裝置和準直器。

背景技術

例如，在半導體晶片上沉積金屬的濺射裝置包括對準待沉積的金屬粒子的方向的準直器。準直器包括具有多個通孔的壁。準直器允許在基本上垂直于半導體晶片那樣的待處理物體的方向上飛行的粒子通過，并且阻擋傾斜飛行的粒子。

引文列表

專利文獻

專利文獻1：日本專利申請特開No.2006-328456

發明內容

本發明要解決的問題

傾斜飛行的粒子的生成可能降低了粒子的使用率。

解決問題的手段

根據實施例的處理裝置包括物體放置單元、源放置單元、整流構件以及電源。所述物體放置單元被配置為具有放置在其上的物體。所述源放置單元布置成與所述物體放置單元分開并且被配置為具有放置在其上的粒子源，所述粒子源能夠朝著所述物體發射粒子。所述整流構件被配置為沿著從所述源放置單元到所述物體放置單元的第一方向上布置在所述物體放置單元與所述源放置單元之間。所述電源被配置為向所述整流構件施加與所述粒子中的電荷的極性具有相同極性的電壓。

附圖說明

圖1是示意性示出了根據第一實施例的濺射裝置的截面圖。

圖2是根據第一實施例的準直器的平面圖。

圖3根據第一實施例的濺射裝置的一部分的截面圖。

圖4是根據第一實施例的濺射裝置的示范性硬件配置的方框圖。

圖5是示意性示出了根據第一實施例的準直器的一部分的截面圖。

圖6是示意性示出了根據第一實施例的反射器的一部分的截面圖。

圖7是根據第一實施例的變型的濺射裝置的一部分的截面圖。

圖8是根據第二實施例的準直器的一部分的截面圖。

圖9是根據第三實施例的準直器的一部分的截面圖。

圖10是示意性示出了根據第四實施例的濺射裝置的一部分的截面圖。

圖11是根據第五實施例的準直器的截面圖。

圖12是根據第五實施例的準直器的一部分的截面圖。

圖13是根據第五實施例的變型的準直器的一部分的截面圖。

圖14是根據第六實施例的準直器的截面圖。

圖15是根據第七實施例的準直器的平面圖。

圖16是根據第七實施例的準直器的一部分的截面圖。

具體實施方式

下面參考圖1至圖6來描述第一實施例。在本說明書中，通常將豎直向上方向定義為向上，將豎直向下方向定義為向下。在本說明書中，利用多種表述來描述實施例的部件以及部件的解釋。也可以利用其它未使用的表述來描述利用多種表述描述的部件和解釋。此外，也可以利用其它未使用的表述來描述未利用多種表述描述的部件和解釋。