[發明專利]可調的遠程分解

有效

• 申請號: 201680047101.1
• 申請日: 2016-06-10
• 公開（公告）號: CN107924839B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: S·樸;K·D·沙茨;S·鄭;D·盧博米爾斯基
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/3213;H01L21/311
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;金紅蓮

1.一種蝕刻圖案化基板的方法，所述方法包括以下步驟：

將所述圖案化基板放置在基板處理腔室的基板處理區域中，其中所述圖案化基板包括第一暴露部分與第二暴露部分；

使惰性氣體流進遠程等離子體系統，所述遠程等離子體系統在所述基板處理腔室的外側且流體地耦接至所述基板處理腔室內的遠程腔室區域；

在所述遠程等離子體系統中形成遠程等離子體以產生第一等離子體流出物；

使所述第一等離子體流出物流進所述遠程腔室區域；使氧化前驅物流進所述遠程腔室區域，并將所述氧化前驅物與所述第一等離子體流出物組合以產生第二等離子體流出物；以及

用所述第二等離子體流出物蝕刻所述第一暴露部分，其中所述第一暴露部分以第一蝕刻速率蝕刻，且所述第二暴露部分以第二蝕刻速率蝕刻，所述第二蝕刻速率低于所述第一蝕刻速率，且其中在蝕刻所述第一暴露部分的同時，所述遠程等離子體系統僅含有惰性氣體。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述惰性氣體是氬。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述氧化前驅物包括鹵素。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述氧化前驅物在進入所述基板處理腔室之前都不在任何遠程等離子體中激發。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述第一暴露部分含有不存在于所述第二暴露部分中的至少一種元素。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述第一暴露部分與所述第二暴露部分具有不同的原子組分。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述氧化前驅物包括氧。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述氧化前驅物包括下述的一者或多者：O₂、O₃、N₂O、H₂O、NO₂和N₂O₂。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述基板處理區域內的電子溫度在蝕刻暴露的氧化硅部分的操作期間低于0.5eV。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述氧化前驅物主要由所述等離子體流出物激發。

11.如權利要求3所述的方法，其中所述鹵素包括從由Cl、Cl₂、F、F₂、NF₃、CF₄、HF和XeF₂組成的群組選出的前驅物。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述第一蝕刻速率超過所述第二蝕刻速率一倍數，所述倍數為80或更大。