[發明專利]氫氣回收系統及氫氣的分離回收方法有效
| 申請號： | 201680044982.1 | 申請日： | 2016-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN107848796B | 公開（公告）日： | 2021-08-20 |
| 發明（設計）人： | 石田昌彥;禰津茂義;齊藤弘;田中秀二 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C01B3/56 | 分類號： | C01B3/56;B01J20/18;B01D53/78;B01D53/82;B01D53/96;B01J20/20;B01J20/34;C01B33/035;C01B39/44;B01D53/68;B01D53/72;B01D53/75 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 盛曼;金龍河 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氫氣 回收 系統 分離 方法 | ||
1.一種氫氣回收系統，其用于從來自以三氯硅烷作為原料制造多晶硅的裝置的反應廢氣中分離回收氫氣，所述氫氣回收系統的特征在于，具備：
A：從來自多晶硅制造工序的含有氫的反應廢氣中冷凝分離氯硅烷類的冷凝分離裝置；
B：對經過所述冷凝分離裝置后的含有氫的反應廢氣進行壓縮的壓縮裝置；
C：使經過所述壓縮裝置后的含有氫的反應廢氣與吸收液接觸而將氯化氫吸收分離的吸收裝置；
D：由用于將經過所述吸收裝置后的含有氫的反應廢氣中包含的甲烷、氯化氫及氯硅烷類的一部分吸附除去的填充有活性炭的吸附塔構成的第一吸附裝置；
E：由將經過所述第一吸附裝置后的含有氫的反應廢氣中包含的甲烷吸附除去的填充有合成沸石的吸附塔構成的第二吸附裝置；和
F：將從所述第二吸附裝置排出的使甲烷濃度降低后的純化氫氣回收的氣體線路，
所述第二吸附裝置中填充的合成沸石中，作為主要成分的二氧化硅(SiO2)與氧化鋁(Al2O3)的分子比(SiO2/Al2O3)為2以上且30以下，
在溫度范圍為-30℃～+100℃且壓力范圍為0.4MPa～2MPa的條件下進行利用所述第二吸附裝置的甲烷的吸附，
所述合成沸石含有鋇的陽離子作為陽離子。
2.如權利要求1所述的氫氣回收系統，其中，所述第一吸附裝置具備多個所述填充有活性炭的吸附塔。
3.如權利要求1所述的氫氣回收系統，其中，所述第二吸附裝置具備多個所述填充有合成沸石的吸附塔。
4.如權利要求1所述的氫氣回收系統，其中，具備如下所述的氣體線路：利用所述第二吸附裝置中純化后的氫氣作為所述第一吸附裝置及所述第二吸附裝置中至少一者所具備的吸附塔再生時的載氣。
5.如權利要求1所述的氫氣回收系統，其中，具備如下所述的氣體線路：利用所述第二吸附裝置中純化后的氫氣作為所述第二吸附裝置所具備的吸附塔再生時的載氣，利用該吸附塔的再生時廢氣作為所述第一吸附裝置所具備的吸附塔再生時的載氣。
6.一種氫氣的分離回收方法，其是從來自以三氯硅烷作為原料制造多晶硅的裝置的反應廢氣中分離回收氫氣的方法，其中，
使用權利要求1～5中任一項所述的氫氣回收系統，
利用所述第二吸附裝置將所述氫氣中的甲烷濃度純化至1ppm以下后進行回收。
7.如權利要求6所述的氫氣的分離回收方法，其中，利用所述第一吸附裝置，將所述氫氣中的氯化氫濃度純化至100ppmv以下，并且將氯硅烷類濃度純化至100ppmv以下。
8.如權利要求6所述的氫氣的分離回收方法，其中，在所述第二吸附裝置所具備的吸附塔再生時的塔內壓力為0.3MPaA以下的條件下進行。
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