[發明專利]發光器件封裝件

有效

• 申請號: 201680041607.1
• 申請日: 2016-07-18
• 公開（公告）號: CN107851698B
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 柳東鋧;閔鳳杰
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/36;H01L33/52
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 高偉;陸弋

1.一種發光器件封裝件，包括：

第一引線框架和第二引線框架；

絕緣層，所述絕緣層被布置在所述第一引線框架和所述第二引線框架之間以使所述第一引線框架和所述第二引線框架彼此電絕緣；

封裝件本體，所述封裝件本體具有使所述第二引線框架的一部分暴露的腔體，其中所述腔體包括相對于所述第二引線框架的前表面傾斜的傾斜表面；

發光器件，所述發光器件被布置在所述第二引線框架的暴露的前表面上并且具有第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極被電連接到相應的所述第一引線框架和所述第二引線框架；

齊納二極管，所述齊納二極管被布置在所述第一引線框架上，其中所述封裝件本體包括被布置在所述齊納二極管和所述發光器件之間的第一部分；以及

至少一個電線，所述至少一個電線被構造成將所述第一引線框架或所述第二引線框架中的至少一個引線框架的所述暴露的前表面電連接至所述發光器件或所述齊納二極管中的至少一個，所述至少一個電線包括第三電線，所述第三電線具有被連接到所述齊納二極管的一端和被連接到所述第二引線框架的暴露部分的剩余端，

其中，所述第一引線框架或所述第二引線框架中的至少一個引線框架的所述暴露的前表面包括被連接到所述至少一個電線的至少一個結合區域，

其中，所述齊納二極管被布置在所述腔體的所述傾斜表面中的孔中，

其中，所述第三電線被布置在所述封裝件本體的所述第一部分上，并且

其中，所述傾斜表面具有比所述第二引線框架的所述暴露的前表面的反射率高的反射率。

2.根據權利要求1所述的封裝件，其中，所述至少一個電線包括第一電線，所述第一電線具有被電連接到所述發光器件的一端和被電連接到所述第一引線框架的剩余端。

3.根據權利要求2所述的封裝件，其中，所述至少一個電線包括第二電線，所述第二電線具有被電連接到所述發光器件的一端和被電連接到所述第二引線框架的剩余端。

4.根據權利要求2所述的封裝件，其中，所述發光器件的所述第二電極被直接地電連接到所述第二引線框架。

5.根據權利要求3所述的封裝件，其中，所述第二引線框架的暴露的前表面包括第一器件區域，所述發光器件被布置在所述第一器件區域中。

6.根據權利要求5所述的封裝件，其中，所述至少一個結合區域包括第一結合區域，所述第一結合區域被電連接到所述第二電線的所述剩余端并且在所述第二引線框架的暴露的前表面處靠近所述第一器件區域。

7.根據權利要求6所述的封裝件，其中，所述封裝件本體包括第一凹槽，所述第一凹槽被構造成暴露所述第一結合區域。

8.根據權利要求2所述的封裝件，其中，所述至少一個結合區域包括第二結合區域，所述第二結合區域不被所述封裝件本體覆蓋并且是暴露的，并且所述第二結合區域在所述第一引線框架處被連接到所述第一電線的所述剩余端。

9.根據權利要求8所述的封裝件，其中，所述封裝件本體包括第二凹槽，所述第二凹槽被構造成暴露所述第二結合區域。

10.根據權利要求8所述的封裝件，其中，所述封裝件本體包括第一盲孔，所述第一盲孔被構造成暴露所述第二結合區域。

11.根據權利要求1所述的封裝件，其中，所述封裝件本體的所述腔體由所述第二引線框架的所述暴露的前表面一起限定，

其中，所述傾斜表面反射從所述發光器件發射的光，并且所述傾斜表面的下端與被布置在所述腔體的底表面上的所述發光器件間隔開預定距離，

其中，所述第一部分具有比所述齊納二極管的厚度或者所述發光器件的厚度大的厚度，并且

其中，所述預定距離是30μm，并且所述封裝件本體的所述第一部分的所述厚度大于50μm并且等于或小于200μm。