[發明專利]處理工件的方法

有效

• 申請號: 201680038035.1
• 申請日: 2016-06-03
• 公開（公告）號: CN107710423B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 維克拉姆·M·博斯爾;提摩太·J·米勒;查理斯·T·卡爾森;具本雄
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0288;H05B1/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種處理工件的方法，其特征在于，包括：

將硼植入至所述工件的第一表面中；

在所述植入之后將所述工件返送至載具的同時，將所述工件暴露于短的熱處理，使硼自所述工件的所述第一表面向外擴散；以及

在所述暴露之后，同時使所述工件與至少另一工件經受退火工藝，將所植入的硼驅入至所述工件中，修復由植入造成的損壞并將硼活化，其中所述退火工藝時，所述工件與所述至少另一工件堆疊于所述載具中，使得所述工件的前表面鄰近所述至少另一工件的后表面。

2.根據權利要求1所述的處理工件的方法，其特征在于，在所述暴露期間對周圍環境供應氧氣。

3.根據權利要求1所述的處理工件的方法，其特征在于，在所述暴露期間對周圍環境供應氧氣及至少一種惰性氣體。

4.根據權利要求1所述的處理工件的方法，其特征在于，所述短的熱處理是使用激光來執行。

5.根據權利要求1所述的處理工件的方法，其特征在于，所述短的熱處理是使用一或多個加熱燈來執行。

6.根據權利要求1所述的處理工件的方法，其特征在于，所述短的熱處理是使用一或多個發光二極管來執行。

7.根據權利要求1所述的處理工件的方法，其特征在于，還包括在所述暴露之前將氧植入至所述工件的所述第一表面中。

8.根據權利要求7所述的處理工件的方法，其特征在于，氧是與硼同時植入。

9.根據權利要求1所述的處理工件的方法，其特征在于，所述短的熱處理將所述工件加熱至介于850℃與1450℃之間的溫度。