[發(fā)明專利]交叉指狀多面對稱扇出及相關(guān)的系統(tǒng)及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680034150.1 | 申請日： | 2016-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN108283015A | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 摩根·T·約翰遜 | 申請（專利權(quán)）人： | 全斯萊瑞公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26;G01R31/28;H01L23/12;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 探查 晶片 側(cè)接觸 中繼器 裸片 半導體晶片 測試半導體 中繼器測試 交叉指狀 面對稱 扇出 運載 交錯 | ||
1.一種用于測試半導體裸片的設(shè)備，其包括：
晶片中繼器，其具有
晶片側(cè)，其面向所述裸片，其中所述晶片中繼器的所述晶片側(cè)運載第一多個晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)及第二多個晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)，其中所述第一多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以面向第一裸片的裸片接點，且其中所述第二多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以面向第二裸片的裸片接點；
探查側(cè)，其背向所述晶片側(cè)，其中所述晶片中繼器的所述探查側(cè)運載第一多個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)及第二多個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)；及
導電跡線，其使所述第一多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)與所述第一多個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)連接，且使所述第二多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)與所述第二多個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)連接，
其中所述第一多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)與所述第二多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)交錯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)具有第一尺度，其中所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)具有第二尺度，且其中所述第一尺度小于所述第二尺度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中使所述第一多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)的所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)以第一圖案布置，使所述第二多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)的所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)以第二圖案布置，且其中所述第一圖案及所述第二圖案是相同的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)包括第一圖案，且所述第二多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)包括第二圖案，且其中所述第一圖案從所述第二圖案偏移達一個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)包括第一圖案，且所述第二多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)包括第二圖案，且其中所述第一圖案從所述第二圖案偏移達兩個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中使所述第一多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)的所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)以第一圖案布置，使所述第二多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)的所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)以第二圖案布置，且其中所述第一圖案及所述第二圖案是相同的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進一步包括：
第三多個晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)；及
第三多個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)，其使用所述導電跡線而與所述第三多個晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)連接，其中所述第三多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)的所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)與所述第一多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)及所述第二多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)交錯。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述裸片由與所述晶片中繼器接觸的半導體晶片運載。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進一步包括經(jīng)配置以接觸至少一多個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)的測試接觸器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其進一步包括與所述測試接觸器電接觸的測試器。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中使所述第一多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)與所述第一多個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)連接的所述導電跡線布線于所述晶片中繼器的第一布線層中，且使所述第二多個所述晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)與所述第二多個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)連接的所述導電跡線布線于所述晶片中繼器的第二布線層中。
12.一種用于測試半導體裸片的方法，其包括：
使半導體晶片上的所述半導體裸片與晶片中繼器的晶片側(cè)的晶片側(cè)接觸結(jié)構(gòu)接觸；
使所述晶片中繼器的探查側(cè)的第一多個探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)與測試接觸器接觸，其中所述晶片中繼器的所述探查側(cè)與所述晶片中繼器的所述晶片側(cè)相對，且其中所述第一多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)電連接到所述半導體晶片上的第一裸片；及
使第二多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)與所述測試接觸器接觸，其中所述第二多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)電連接到所述半導體晶片上的第二裸片，且其中所述第一多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)與所述第二多個所述探查側(cè)接觸結(jié)構(gòu)交錯。
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