[發明專利]鈮酸鋰單晶基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201680034032.0
• 申請日: 2016-06-08
• 公開（公告）號: CN107636213B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 梶谷富男
• 申請（專利權）人: 住友金屬礦山株式會社
• 主分類號: C30B29/30
• 分類號: C30B29/30;C30B33/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李英艷;張永康

1.一種鈮酸鋰單晶基板的制造方法，其是使用通過切克勞斯基法培養成的鈮酸鋰單晶制造鈮酸鋰單晶基板的方法，其特征在于，

將單晶中的Fe濃度超過1000質量ppm且在2000質量ppm以下并且被加工成基板狀態的鈮酸鋰單晶埋入Al粉末中或者埋入Al和Al₂O₃的混合粉末中，在450℃以上且小于550℃的溫度條件下進行熱處理，由此來制造體積電阻率被控制在超過1×10¹⁰Ω·cm且在2×10¹²Ω·cm以下的范圍、并且鈮酸鋰單晶基板面內的體積電阻率的偏差σ/Ave小于3％的鈮酸鋰單晶基板，

并且，所述Ave是指由鈮酸鋰單晶基板中心部的1個點和外周部的4個點組成的面內的5個點測定的體積電阻率的平均值，所述σ是它們的標準偏差，所述體積電阻率是通過以JISK-6911為標準的三端子法進行測定而獲得的值。

2.根據權利要求1所述的鈮酸鋰單晶基板的制造方法，其特征在于，

所述被加工成基板狀態的鈮酸鋰單晶的表面的算術平均粗糙度Ra為0.2μm以上且0.4μm以下。

3.根據權利要求1或2所述的鈮酸鋰單晶基板的制造方法，其特征在于，在真空環境或非活性氣體的減壓環境下進行所述熱處理。

4.根據權利要求1或2所述的鈮酸鋰單晶基板的制造方法，其特征在于，進行1小時以上的所述熱處理。

5.根據權利要求3所述的鈮酸鋰單晶基板的制造方法，其特征在于，

進行1小時以上的所述熱處理。

6.一種鈮酸鋰單晶基板，其是由權利要求1至5中任一項所述的鈮酸鋰單晶基板的制造方法制造得到的鈮酸鋰單晶基板，其體積電阻率被控制在超過1×10¹⁰Ω·cm且在2×10¹²Ω·cm以下的范圍，其特征在于，

鈮酸鋰單晶中的Fe濃度超過1000質量ppm且在2000質量ppm以下，并且，鈮酸鋰單晶基板面內的體積電阻率的偏差σ/Ave小于3％，

并且，所述Ave是指由鈮酸鋰單晶基板中心部的1個點和外周部的4個點組成的面內的5個點測定的體積電阻率的平均值，所述σ是它們的標準偏差，所述體積電阻率是通過以JISK-6911為標準的三端子法進行測定而獲得的值。