[發明專利]半導體裝置及制造方法

有效

• 申請號: 201680032029.5
• 申請日: 2016-12-06
• 公開（公告）號: CN107636835B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 內藤達也
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/78
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 金玉蘭;楊敏

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體基板；

多個溝槽部，設置于所述半導體基板的正面側，分別具有沿著延伸方向延伸的部分；以及

第一導電型的發射區和第二導電型的接觸區，設置于相鄰的2個溝槽部之間，在所述延伸方向上交替地在所述半導體基板的正面露出，

在所述半導體基板的正面，所述發射區在所述2個溝槽部之間的中央位置處的長度比所述發射區的與所述溝槽部接觸的部分的長度短，

在所述半導體基板的正面，所述發射區的邊界的至少一部分為曲線形狀，

所述接觸區在所述中央位置處的深度比所述發射區在所述中央位置處的深度深，

所述發射區在所述中央位置處的長度比所述發射區在所述中央位置處的深度與所述接觸區在所述中央位置處的深度之差大，

所述接觸區的在所述延伸方向上的中央部分以在所述半導體基板的正面與所述溝槽部的側壁接觸的方式形成，在所述半導體基板的正面，所述接觸區在所述溝槽部的側壁露出，多個所述發射區相互分離。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述發射區在所述中央位置處的長度比所述發射區的與所述溝槽部接觸的部分的長度的1/3大。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述發射區在所述中央位置處的長度比所述2個溝槽部的距離的一半大。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述接觸區的至少一部分的區域越接近所述溝槽部則逐漸形成得越淺。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述接觸區在所述半導體基板的正面和所述溝槽部的側壁與所述發射區的邊界的接觸點分開形成。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，在所述半導體基板的正面隔著1個所述發射區而設置的2個所述接觸區在所述半導體基板的內部也分離。

7.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，在所述半導體基板的正面隔著1個所述發射區而設置的2個所述接觸區在所述發射區的下側連接。

8.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述溝槽部的寬度比所述2個溝槽部的距離大。

9.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置還具備層間絕緣膜，該層間絕緣膜形成于所述半導體基板的正面，并在與所述接觸區對置的區域和與所述發射區對置的區域形成有接觸孔，

所述接觸孔形成于與所述中央位置對置的區域，且不形成于與所述溝槽部接觸的區域。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，所述接觸孔以與所述發射區的長度恒定的區域對置的方式形成。

11.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，在所述半導體基板的正面，基區在所述溝槽部的側壁露出。