[發明專利]晶舟以及晶圓用等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201680031736.2
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN107995998A
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 麥可·科利克;拉爾夫·羅特;韋費德·萊爾希;約翰尼斯·雷利
• 申請（專利權）人: 商先創國際股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01J37/32
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬爽,臧建明

1.一種用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，所述盤狀晶圓尤其是用于半導體或光伏打應用的半導體晶圓，所述晶舟包括：

多個第一載體元件，平行于彼此而定位，其中所述第一載體元件各自提供用于攜載晶圓或晶圓對的邊緣區的多個載體縫隙；以及

多個第二載體元件，平行于彼此而定位，其中所述第二載體元件各自導電且具有用于攜載至少一個晶圓或一個晶圓對的所述邊緣區的至少一個凹痕。

2.根據權利要求1所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述第一載體元件是由電絕緣材料制成，且其中所述第一載體元件以及第二載體元件藉助于固定單元而定位成彼此相隔一距離。

3.根據前述權利要求中的一項所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述第二載體元件橫向于所述第一載體元件而延伸且呈具有向上定向的凹痕的支撐件的形式，且

其中所述晶舟具有以第一群組電連接所述第二載體元件中的每隔一個第二載體元件的第一接觸單元，以及以第二群組連接所述第二載體元件中的其他第二載體元件的第二接觸單元。

4.根據權利要求3所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述第一接觸單元以及第二接觸單元位于不同高度上。

5.根據前述權利要求中的一項所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述第一載體元件以及第二載體元件在所述晶圓的插入狀態下在其圓周的不大于20％處接觸所述晶圓，較佳地在其圓周的不大于10％處接觸所述晶圓，且其中所述晶圓的其他部分自由地站立。

6.根據前述權利要求中的一項所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述載體元件在所述晶圓的插入狀態下僅在其一半的區中接觸所述晶圓。

7.根據前述權利要求中的一項所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述第一載體元件和/或所述第二載體元件中的縫隙經形成使得每隔一個縫隙經形成使得其接觸經插入的晶圓或經插入的晶圓對，而其他縫隙經形成使得其不接觸任何晶圓。

8.根據前述權利要求中的一項所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述第一載體元件和/或所述第二載體元件實質上為桿狀。

9.一種用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，所述盤狀晶圓尤其是用于半導體或光伏打應用的半導體晶圓，所述晶舟包括：

多個板狀的導電載體元件，平行于彼此而定位，且小于固持于所述導電載體元件中的所述晶圓的高度的一半；以及

其中所述載體元件各自在其對置側上具有用于固持晶圓的至少三個載體元件。

10.根據前述權利要求中的一項所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述導電載體元件各自在其長度方向端處具有接觸尖端，所述接觸尖端經由接觸塊體而與其他導電載體元件的所述接觸尖端連接，其中直接鄰近導電載體元件的所述接觸尖端位于不同高度上，且其中所述接觸塊體使所述導電載體元件中的每隔一個導電載體元件彼此連接。

11.根據權利要求10項所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述接觸塊體的總和與所述接觸尖端的總和的組合熱質量小于所述晶舟的其余部分的熱質量。

12.根據權利要求11所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中所述接觸塊體的總和與所述接觸尖端的總和的組合熱質量小于所述晶舟的其余部分的熱質量的1/10。

13.根據權利要求10至12中的一項所述的用于盤狀晶圓的等離子體處理的晶舟，其中遍及接觸塊體以及兩個接觸尖端的供電流流動的供應路徑的阻抗小于在操作期間在接觸所述接觸尖端的晶圓對之間燃燒的等離子體的阻抗。

14.一種晶圓用等離子體處理裝置，所述晶圓尤其是半導體晶圓，所述晶圓用等離子體處理裝置包括：

處理腔室，用于固持如權利要求中的任一項所述的晶舟；

用于控制或調節所述處理腔室中的處理氣體氣氛的調控工具；以及

至少一個電壓源，可以合適方式而與所述晶舟的所述導電載體元件連接，以便在固持于所述晶舟中的直接鄰近晶圓之間供應電壓。