[發明專利]五氯二硅烷

在審

• 申請號: 201680028698.5
• 申請日: 2016-05-19
• 公開（公告）號: CN107614749A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: X·周
• 申請（專利權）人: 美國道康寧公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/40;C23C16/455
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 郭輝

1.一種在基材上形成含硅膜的方法，所述方法包括使由五氯二硅烷組成的硅前體的蒸氣在存在所述基材的情況下經受沉積條件，從而在所述基材上形成含硅膜，其中所述含硅膜是硅氮膜或硅氧膜，并且所述方法利用原子層沉積。

2.根據權利要求1所述的方法，包括使所述硅前體的第一蒸氣和氮前體(包括分子氮、氨、胺、肼、或者它們中任意兩種或三種的組合)的第二蒸氣在存在所述基材的情況下經受沉積條件，從而在所述基材上形成所述含硅膜，其中所述含硅膜是所述硅氮膜。

3.根據權利要求1所述的方法，包括使所述硅前體的第一蒸氣和氧前體(包括分子氧、臭氧、一氧化氮、二氧化氮、水、過氧化氫、或者它們中任意兩種或三種的組合)的第二蒸氣在存在所述基材的情況下經受沉積條件，從而在所述基材上形成所述含硅膜，其中所述含硅膜是所述硅氧膜。

4.根據權利要求2-4中任一項所述的方法，其中所述基材被加熱并置于被配置用于原子層沉積的沉積反應器中，所述方法包括重復進料所述硅前體的所述第一蒸氣、用惰性氣體吹掃、將所述第二蒸氣進料到所述沉積反應器中、并且用惰性氣體吹掃，從而在所述加熱基材上形成所述含硅膜，其中所述進料可為相同的或不同的。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述原子層沉積是等離子體增強原子層沉積，并且其中所述等離子體是在氮氣或氬氣中的氨等離子體，或者其中所述等離子體是合成氣體、氮氣、或氧等離子體。

6.根據權利要求3所述的方法，其中所述蒸氣沉積條件缺少碳和氧，并且所述硅氮膜包括氮化硅膜。

7.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述基材是半導體材料。

8.一種用于形成硅氮膜的組合物，所述組合物包含由五氯二硅烷組成的硅前體和氮前體。

9.根據權利要求9所述的組合物在形成硅氮膜的方法中的用途。