[發明專利]自動化的基于圖像的過程監測及控制有效
| 申請號: | 201680023662.8 | 申請日: | 2016-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN107533994B | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | H·法加里亞;S·卡達爾;T·托雷利;B·里斯;M·馬哈德凡;S·潘戴夫 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 自動化 基于 圖像 過程 監測 控制 | ||
1.一種用于產生用于檢測過程不合規性的模型的方法,其包括:
接收多個晶片圖像,所述多個晶片圖像中的每一晶片圖像包括一組裸片圖像;
接收對應于所述組裸片圖像的每一裸片的檢驗結果;
基于每一組裸片圖像中的所述裸片圖像及一或多個分段類型產生片段掩模,其中每一片段掩模經配置以掩蔽噪聲,以便所述裸片圖像中的一者的僅有一部分被顯現;
使用處理器將每一片段掩模應用于每一裸片圖像以產生掩蔽裸片圖像,且針對每一掩蔽裸片圖像計算一組度量值;以及
使用所述處理器基于所述裸片檢驗結果識別度量值、片段掩模及晶片圖像中的一或多個統計上顯著的組合以產生檢測模型。
2.根據權利要求1所述的方法,其進一步包括使用所述處理器針對晶片圖像、片段掩模及度量值的每一組合產生結果晶片圖像,其中每一結果晶片圖像包括基于所述對應組合的一組結果裸片圖像。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述一或多個分段類型包含:基于所述裸片圖像的強度確定中間裸片;及基于所述中間裸片的強度直方圖的值定限所述中間裸片的圖像。
4.根據權利要求3所述的方法,其中所述值是小于10%、小于25%、小于50%、大于75%及大于90%強度。
5.根據權利要求3所述的方法,其中所述一或多個分段類型包含:從所述裸片圖像中的每一個減去所述中間裸片以產生一組差異裸片;及計算所述組差異裸片中的一或多個主成分。
6.根據權利要求1所述的方法,其中所述組度量值包含以下各項中的一或多個:圖像的平均值、圖像的標準偏差、定限掩蔽圖像的平均值、定限掩蔽圖像的標準偏差、x導向掩蔽梯度圖像的平均值、y導向掩蔽梯度圖像的平均值、x導向掩蔽梯度圖像的標準偏差及y導向掩蔽梯度圖像的標準偏差。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述多個晶片圖像包括以下各項中的一或多個:藍光圖像、紅光圖像、白光圖像、綠光圖像、暗場圖像、明場圖像及偏振圖像。
8.根據權利要求1所述的方法,其中針對額外晶片圖像重復接收晶片圖像、接收檢驗結果、產生片段掩模及應用片段掩模的步驟,且所述方法進一步包括使用所述處理器基于所述裸片檢驗結果識別度量值、片段掩模及晶片圖像的一或多個額外統計上顯著的組合以增強所述檢測模型的步驟。
9.一種用于檢測過程的不合規性的方法,其包括:
接收能夠檢測過程不合規性的預定模型,其中所述模型是基于掩蔽裸片圖像的度量值的組合且所述模型包括片段掩模、度量值及晶片圖像的一組顯著組合;
接收包括一組裸片圖像的晶片圖像;
使用所述模型的片段掩模來掩蔽所述晶片圖像,其中所述片段掩模經配置以掩蔽噪聲,以便所述裸片圖像中的一者的僅有一部分被顯現;
基于來自所述模型的片段掩模與度量值的對應組合計算所述掩蔽裸片圖像的度量值;
重復掩蔽所述晶片圖像及基于來自所述模型的片段掩模與度量值的每一組合計算度量值的步驟;以及
基于經計算度量值及所述模型確定過程狀態以檢測所述過程的合規性或不合規性狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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