[發明專利]磁阻效應元件有效
| 申請號： | 201680019089.3 | 申請日： | 2016-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN107431124B | 公開（公告）日： | 2020-03-13 |
| 發明（設計）人： | 佐佐木智生 | 申請（專利權）人： | TDK株式會社 |
| 主分類號： | H01L43/10 | 分類號： | H01L43/10;G01R33/09;G11B5/39;H01F10/16;H01F10/30;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 楊琦;陳明霞 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁阻 效應 元件 | ||
1.一種磁阻效應元件，其特征在于，
具有：第一鐵磁性金屬層、第二鐵磁性金屬層和被所述第一鐵磁性金屬層和所述第二鐵磁性金屬層夾持的隧道勢壘層，
所述隧道勢壘層是陽離子排列不規則的尖晶石結構，
所述隧道勢壘層以(M1-xZnx)((T1)2-y(T2)y)O4的組成式表示，
M為Zn以外的非磁性的二價陽離子，
T1和T2分別為非磁性的三價陽離子，
x和y是以以下的(1)～(5)的組合的組成比作為頂點并以直線連結頂點而成的區域內的組成比，
(1)x＝0.2，y＝0.1；
(2)x＝0.8，y＝0.1；
(3)x＝0.8，y＝1.7；
(4)x＝0.6，y＝1.7；
(5)x＝0.2，y＝0.7。
2.如權利要求1所述的磁阻效應元件，其特征在于，
所述隧道勢壘層具有：
晶格匹配部，其與所述第一鐵磁性金屬層和所述第二鐵磁性金屬層兩者晶格匹配；和
晶格不匹配部，其與所述第一鐵磁性金屬層和所述第二鐵磁性金屬層的至少一者晶格不匹配。
3.如權利要求2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
所述晶格匹配部的體積相對于所述隧道勢壘層整體的體積的比為65～95％。
4.如權利要求1或2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
在所述組成式中，M、Zn、T1以及T2的陽離子的離子半徑之差為以下。
5.如權利要求1或2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
在所述組成式中，M為鎂或鎘的陽離子。
6.如權利要求1或2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
在所述組成式中，T1和T2中一個為鋁的陽離子，另一個為鎵的陽離子。
7.如權利要求1或2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
在所述組成式中，T1和T2中一個為鎵的陽離子，另一個為銦的陽離子。
8.如權利要求1或2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
所述二價陽離子的元素數比所述三價陽離子的元素數的一半少。
9.如權利要求1或2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
所述第一鐵磁性金屬層和所述第二鐵磁性金屬層的至少任意一者為Co2Mn1-aFeaAlbSi1-b，其中，0≤a≤1，0≤b≤1。
10.如權利要求1或2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
所述隧道勢壘層的膜厚為1.0nm以上。
11.如權利要求1或2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
所述第一鐵磁性金屬層的矯頑力比所述第二鐵磁性金屬層的矯頑力大。
12.如權利要求1或2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
所述第一鐵磁性金屬層和所述第二鐵磁性金屬層的至少任意一者具有相對于層疊方向為垂直的磁各向異性。
13.如權利要求2所述的磁阻效應元件，其特征在于，
所述晶格匹配部的體積相對于所述隧道勢壘層整體的體積的比為65～95％，
所述二價陽離子的元素數比所述三價陽離子的元素數的一半少。
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