[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680018331.5 | 申請日： | 2016-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN109952633B | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 小谷涼平;松原壽樹;石塚信隆;三川雅人;押野浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 新電元工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/329 | 分類號： | H01L21/329;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/78;H01L29/866 |
| 代理公司： | 上海德昭知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
導(dǎo)電性的半導(dǎo)體基板；
第一絕緣膜，形成在所述半導(dǎo)體基板的耐壓區(qū)域上；
齊納二極管，形成在所述第一絕緣膜上，并且其N型半導(dǎo)體層與P型半導(dǎo)體層鄰接配置；以及
第二絕緣膜，覆蓋所述齊納二極管，
其中，所述P型半導(dǎo)體層中P型摻雜物的濃度，比所述N型半導(dǎo)體層中N型摻雜物的濃度更低，
所述P型摻雜物的濃度峰值位于：作為所述P型半導(dǎo)體層與所述第一絕緣膜之間的界面區(qū)域的第一界面區(qū)域，與作為所述P型半導(dǎo)體層與所述第二絕緣膜之間的界面區(qū)域的第二界面區(qū)域之間的非界面區(qū)域上，
在所述P型半導(dǎo)體層中的所述第一界面區(qū)域中，導(dǎo)入有N型摻雜物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
其中，所述濃度峰值位于所述P型半導(dǎo)體層的總厚度中內(nèi)側(cè)80％的區(qū)域上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
其中，所述濃度峰值位于：從所述P型半導(dǎo)體層與所述第一絕緣膜之間的界面以及從所述P型半導(dǎo)體層與所述第二絕緣膜之間的界面分別隔開20nm以上的位置上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
其中，在所述P型半導(dǎo)體層中的所述第二界面區(qū)域中，導(dǎo)入有N型摻雜物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
其中，所述P型半導(dǎo)體層以及所述N型半導(dǎo)體層由多晶硅構(gòu)成，所述第一絕緣膜以及/或所述第二絕緣膜由硅氧化膜構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
其中，所述P型摻雜物為硼。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
其中，進一步包括MOS構(gòu)造，
在所述半導(dǎo)體基板的一個主面與另一個主面之間流通主電流，
在所述半導(dǎo)體基板的所述一個主面上，設(shè)置有：流通所述主電流的活性區(qū)域、以及包圍所述活性區(qū)域的，并且包含所述半導(dǎo)體基板的周緣部的耐壓區(qū)域，
所述齊納二極管為：所述N型半導(dǎo)體層與所述P型半導(dǎo)體層交互地鄰接配置后構(gòu)成的過電壓保護二極管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
其中，所述半導(dǎo)體基板為第一導(dǎo)電型，
所述半導(dǎo)體裝置進一步包括：
第二導(dǎo)電型的擴散層，被選擇性地形成在所述耐壓區(qū)域的所述一個主面上，并且包圍所述活性區(qū)域；
第一導(dǎo)電型的擴散區(qū)域，被形成在所述擴散層中；
發(fā)射極，被形成在所述擴散區(qū)域上；
柵電極，被形成在所述過電壓保護二極管上；
第二導(dǎo)電型的集電極區(qū)域，被形成在所述半導(dǎo)體基板的所述另一個主面上；以及
集電極，被形成在所述集電極區(qū)域上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：
其中，所述半導(dǎo)體基板為第一導(dǎo)電型，
所述半導(dǎo)體裝置進一步包括：
第二導(dǎo)電型的擴散層，被選擇性地形成在所述耐壓區(qū)域的所述一個主面上，并且包圍所述活性區(qū)域；
第一導(dǎo)電型的擴散區(qū)域，被形成在所述擴散層中；
發(fā)射極，被形成在所述擴散區(qū)域上；
柵電極，被形成在所述過電壓保護二極管上；
第一導(dǎo)電型的漏極區(qū)域，被形成在所述半導(dǎo)體基板的所述另一個主面上；以及
集電極，被形成在所述漏極區(qū)域上，并且與所述漏極區(qū)域形成肖特基勢壘。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
