[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201680008701.7
• 申請日: 2016-02-12
• 公開（公告）號: CN107278331B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 文珍旭;金尹會;金宰湖;李奎范;李裁玩
• 申請（專利權）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/02;H01L21/34
• 代理公司: 北京市立康律師事務所 11805
• 代理人: 梁揮;孟超

1.一種薄膜晶體管，包括：

柵電極，其形成在基板上；

柵絕緣體，其形成在包括所述柵電極的所述基板的整個表面上；

第一有源層，其由銦-鎵-氧化鋅（IGZO）薄膜形成在所述柵電極上；

第二有源層，其以第一多層結構形成在所述第一有源層之上；

第三有源層，其以第二多層結構形成在所述第一有源層之下；以及

源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極間隔開預定距離并且連接到所述第一有源層、所述第二有源層和所述第三有源層，

其中所述第三有源層包括：

第一氧化鋅（ZnO）層，其與所述第一有源層的下表面相距設置；和

第一氧化鎵鋅（GZO）層，其設置在所述第一有源層和所述第一氧化鋅層之間，以及

其中所述第二有源層包括：

第二氧化鋅（ZnO）層，其與所述第一有源層的上表面相距設置；和

第二氧化鎵鋅（GZO）層，其設置在所述第一有源層和所述第二氧化鋅層之間，

其中所述柵絕緣體僅接觸所述第一氧化鋅（ZnO）層。

2. 根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中所述第一有源層包括：

第一氧化物薄膜層，其通過原子層沉積（ALD）形成；以及

第二氧化物薄膜層，其通過化學氣相沉積（CVD）形成。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其中所述第一氧化物薄膜層與所述第二氧化物薄膜層相比更靠近所述柵絕緣體。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，還包括蝕刻停止層，其位于所述第二有源層的上表面與所述源電極和所述漏電極的下表面之間。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中在形成所述第三有源層之前，向所述柵絕緣體提供二乙基鋅。

6.一種用于制造薄膜晶體管的方法，包括：

在基板上形成柵電極，并且在所述柵電極上形成柵絕緣體；

在所述柵絕緣體上形成具有第一多層結構的第三有源層，所述第三有源層包括在所述柵絕緣體上的第一氧化鋅（ZnO）層和在所述第一氧化鋅（ZnO）上的第一氧化鎵鋅（GZO）層，其中所述柵絕緣體僅接觸所述第一氧化鋅（ZnO）層；

在所述第三有源層上形成包含銦-鎵-氧化鋅（IGZO）薄膜的第一有源層；以及

在所述第一有源層上形成具有第二多層結構的第二有源層，所述第二有源層包括在所述第一有源層上的第二氧化鎵鋅（GZO）層和在所述第二氧化鎵鋅層上的第二氧化鋅（ZnO）層；

在包括所述第一有源層至所述第三有源層的所述基板的整個表面上形成蝕刻停止層；以及

在所述蝕刻停止層上形成彼此間隔開預定距離的源電極和漏電極，使得所述源電極和所述漏電極連接到所述第一有源層、所述第二有源層和所述第三有源層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中形成第一有源層的步驟包括：

通過原子層沉積在所述第一氧化鎵鋅層上形成第一氧化物薄膜層；以及

通過化學氣相沉積在所述第一氧化物薄膜層上形成第二氧化物薄膜層。