[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201680008409.5
• 申請日: 2016-01-28
• 公開（公告）號: CN107210227B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 淺見良信
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/363;H01L21/365;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/8242;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/108;H01L27/146;H01L29/786
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 劉多益;胡燁

1.一種半導體裝置，包括：

第一絕緣層；

所述第一絕緣層上的第一氧化物半導體層；

所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層；

所述第二氧化物半導體層上的源電極層及漏電極層；

所述第一絕緣層、所述源電極層及所述漏電極層上的第二絕緣層；

所述第二絕緣層上的第三絕緣層；

所述第二氧化物半導體層上的第三氧化物半導體層；

所述第三氧化物半導體層上的柵極絕緣層；以及

所述柵極絕緣層上的柵電極層，

其中，所述第二絕緣層與所述第一氧化物半導體層的側面、所述第二氧化物半導體層的側面、所述源電極層的側面及所述漏電極層的側面接觸，

并且，所述第三氧化物半導體層與所述第二氧化物半導體層的側面、所述源電極層的所述側面、所述漏電極層的所述側面、所述第二絕緣層的側面及所述第三絕緣層的側面接觸。

2.一種半導體裝置，包括：

第一絕緣層；

所述第一絕緣層上的第一氧化物半導體層；

所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層；

所述第二氧化物半導體層上的源電極層及漏電極層；

與所述第二氧化物半導體層的側面接觸的第一導電層及第二導電層；

所述第一絕緣層、所述源電極層及所述漏電極層上的第二絕緣層；

所述第二絕緣層上的第三絕緣層；

所述第二氧化物半導體層上的第三氧化物半導體層；

所述第三氧化物半導體層上的柵極絕緣層；以及

所述柵極絕緣層上的柵電極層，

其中，所述第一導電層的側面及所述第二導電層的側面與所述第二絕緣層接觸，

并且，所述第三氧化物半導體層與所述第一絕緣層的側面、所述第一氧化物半導體層的側面、所述第二氧化物半導體層的側面、所述源電極層的側面、所述漏電極層的側面、所述第二絕緣層的側面及所述第三絕緣層的側面接觸。

3.一種半導體裝置，包括：

第一絕緣層；

所述第一絕緣層上的第一氧化物半導體層；

所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層；

所述第二氧化物半導體層上的源電極層及漏電極層；

所述第一絕緣層、所述源電極層及所述漏電極層上的第二絕緣層；

所述第二絕緣層上的第三絕緣層；

所述源電極層及所述漏電極層上的與所述第二絕緣層的側面及所述第三絕緣層的側面接觸的第四絕緣層；

所述第二氧化物半導體層上的第三氧化物半導體層；

所述第三氧化物半導體層上的柵極絕緣層；以及

所述柵極絕緣層上的柵電極層，

其中，所述第二絕緣層與所述第一氧化物半導體層的側面、所述第二氧化物半導體層的側面、所述源電極層的側面及所述漏電極層的側面接觸，

并且，所述第三氧化物半導體層與所述第一絕緣層的側面、所述第一氧化物半導體層的側面、所述第二氧化物半導體層的側面、所述源電極層的側面、所述漏電極層的側面及所述第四絕緣層的側面接觸。

4.一種半導體裝置，包括：

第一導電層；

所述第一導電層上的第一絕緣層；

所述第一絕緣層上的第一氧化物半導體層；

所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層；

所述第二氧化物半導體層上的源電極層及漏電極層；

所述第一絕緣層、所述源電極層及所述漏電極層上的第二絕緣層；

所述第二絕緣層上的第三絕緣層；

所述第二氧化物半導體層上的第三氧化物半導體層；

所述第三氧化物半導體層上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的柵電極層；以及

所述第三絕緣層、所述第三氧化物半導體層、所述柵極絕緣層及所述柵電極層上與這些層接觸的第四絕緣層，

其中，所述第四絕緣層是氧化鋁膜，

所述第二絕緣層與所述第一氧化物半導體層的側面、所述第二氧化物半導體層的側面、所述源電極層的側面及所述漏電極層的側面接觸，

并且，所述第三氧化物半導體層與所述第一絕緣層的側面、所述第一氧化物半導體層的側面、所述第二氧化物半導體層的側面、所述源電極層的側面、所述漏電極層的側面、所述第二絕緣層的側面、所述第三絕緣層的側面接觸。