[發(fā)明專利]雙電源在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680007174.8 | 申請日: | 2016-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN107209527A | 公開(公告)日: | 2017-09-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | F·帕勒特;G·斯考羅姆;A·S·德瓦爾;R·瓦加亞拉加萬 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | G05F3/08 | 分類號: | G05F3/08 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 高見 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙電源 | ||
優(yōu)先權聲明
本申請要求于2015年2月12日提交的題為“DUAL SUPPLY(雙電源)”的美國專利申請序列號14/621,261的優(yōu)先權,并且所述美國專利申請通過引用以其全文結合在此。
技術領域
本發(fā)明總體上涉及電源,并且具體地涉及用于片上電壓域的電源供應解決方案。
附圖說明
在相同的參考號指代相似元件的附圖的圖示中,通過示例性方式而非限制性方式展示了本發(fā)明的實施例。
圖1A是根據(jù)一些實施例的計算裝置的簡圖,所述計算裝置的處理器具有多個并聯(lián)LVR/IVR電壓電源域。
圖1B是根據(jù)一些實施例的來自圖1A的計算裝置的單個電壓域的IVR部分的示意圖。
圖2是根據(jù)一些實施例的用于單個代表性FIVR的電路系統(tǒng)的框圖。
圖3是示出根據(jù)一些實施例的用于為電壓域供電的單個FIVR/LVR塊的簡圖。
圖4是示出根據(jù)一些實施例的用于從FIVR轉換到LVR的例程401的簡圖。
圖5是示出根據(jù)一些實施例的用于從LVR轉換到FIVR以用于域電源的例程的簡圖。
具體實施方式
本公開提供了一種電力輸送方案,用于提供用于集成電壓調節(jié)器(integrated voltage regulator,IVR)的并聯(lián)調節(jié)特征。針對電源域,此特征可以在整體IVR功率效率可能較低的特定(輕)負載條件期間提供對從IVR到備選的、更高效的并聯(lián)(線型)調節(jié)器(LVR)的電壓調節(jié)和電力輸送的無縫傳送。當并聯(lián)調節(jié)被激活時,IVR可以完全斷電并且其輸入電源(如果不斷開的話)被降低,從而減少或移除IVR輸入供應軌上的靜態(tài)泄露或活躍功率的整個源。并聯(lián)調節(jié)器可以是線性電壓調節(jié)器(LVR)或者潛在地為針對感興趣的特定操作條件的另一種高效調節(jié)器,像開關電容式調節(jié)器或者更小的開關模式電壓調節(jié)器。
圖1A是示出根據(jù)一些實施例的針對示例性計算裝置的電源域的簡圖。所述電源域包括通過片外調節(jié)器103從電源101(PSU或電池)供電的處理器105。處理器105具有用于為各個不同負載109供電的單獨IVR/LVR電壓域107。處理器105可對應于任何適合的處理器(例如,高端服務器芯片、SoC等)。例如,處理器可以用第四代CoreTM微處理器來實現(xiàn)。
處于主板上的第一級VR(來自103)從PSU(電源單元)或電池電壓(例如,12V至20V)轉換為更低電壓(例如,針對活躍模式時為1.8V并且針對降低的電源模式時為1.3)。這些電源通過跨微處理器管芯的輸入供應軌而被分配。IVR/LVR塊充當?shù)诙D換級。例如,取決于處理器配置,可能存在8IVR/LVR域與31之間的IVR/LVR域。在一些實施例中,利用FIVR(fully integrated voltage regulator,完全集成電壓調節(jié)器)來實現(xiàn)IVR。給定對每個IVR正在供電的域的要求,每個IVR可獨立地可編程以實現(xiàn)最佳操作。這些設置可以由電源控制單元(power control unit,PCU)來優(yōu)化,所述電源控制單元可以指定輸入電壓、輸出電壓、操作級數(shù)以及各種各樣的用于最小化管芯的總功耗的其他設置。
應認識到,IVR(集成電壓調節(jié)器)可以包括任何適合的開關型調節(jié)器,至少其PWM(脈寬調制)電路系統(tǒng)集成到正在為其供電的芯片中。FIVR(完全集成電壓調節(jié)器)是一種類型的IVR。FIVR可以利用任何適合的開關DC調節(jié)器技術來實現(xiàn)。所述FIVR將通常使其部件中的大多數(shù)(如果不是全部)容納在正在為其供應調節(jié)電源的半導體封裝體(包括一個或多個管芯的封裝體)中。例如,在一些實施例中,功率FET、控制電路系統(tǒng)以及高頻去耦部件可以在管芯上,而電感器和中頻輸入去耦電容器可以在封裝體中。
圖2中示出了表示用于單個FIVR域的電路系統(tǒng)的框圖。此FIVR為具有16個相位的140MHz同步多相降壓轉換器。在一些實施例中,降壓調節(jié)器橋可以通過利用NMOS和PMOS共源共柵電源開關來替換來自先前設計的電源門而形成。共源共柵配置允許利用來自更先進的(例如,更小的特征尺寸)半導體工藝的邏輯器件來實現(xiàn)電源開關,并且同時,所述邏輯器件可以能夠處理合理的高輸入電壓(例如,高達1.8VDC)。這可降低針對高壓裝置的額外處理步驟的成本,同時實現(xiàn)所期望的開關特性。
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