[發明專利]蒸鍍掩模的制造方法、蒸鍍掩模制造裝置、激光用掩模及有機半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 201680006194.3
• 申請日: 2016-02-03
• 公開（公告）號: CN107109622B
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 宮寺仁子;二連木隆佳;武田利彥
• 申請（專利權）人: 大日本印刷株式會社
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/50;H05B33/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 劉曉迪

本發明提供一種即使在大型化的情況下也能夠實現輕量化且可形成比以往更高精細的蒸鍍圖案的蒸鍍掩模的制造方法、可制造與比以往更高精細的有機半導體元件的有機半導體元件的制造方法。所述方法具有如下的工序：準備層積有設有縫隙的金屬掩模和樹脂板的帶樹脂板的金屬掩模；從所述金屬掩模側照射激光，在所述樹脂板上形成與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部，在形成所述開口部的工序中，通過使用設有開口區域和衰減區域的激光用掩模，利用在所述開口區域通過的激光在樹脂板上形成與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部，并且利用在所述衰減區域通過的激光在所述樹脂板的開口部周圍形成薄壁部，所述開口區域與所述開口部對應，所述衰減區域使照射的激光的能量衰減。

技術領域

本發明的實施方式涉及蒸鍍掩模的制造方法、蒸鍍掩模制造裝置、激光用掩模及有機半導體元件的制造方法。

背景技術

隨著使用有機EL元件的產品大型化或基板足寸的大型化，對蒸鍍掩模也越來越要求大型化。而且，用于制造由金屬構成的蒸鍍掩模的金屬板也大型化。但是，在目前的金屬加工技術中，難以在大型金屬板上精度良好地形成開口部，無法應對開口部的高精細化。另外，在形成為僅由金屬構成的蒸鍍掩模的情況下，由于其質量也隨著大型化而增大，且包含框架在內的總質量也隨之增大，故而在處理上產生阻礙。

在這樣的狀況下，在專利文獻1中提出有一種蒸鍍掩模的制造方法，其將設有縫隙的金屬掩模、和位于金屬掩模的表面且縱橫配置多列與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部的樹脂掩模層積而構成。根據專利文獻l記載的蒸鍍掩模的制造方法，即使在大型化的情況下，也能夠制造滿足高精細化和輕量化二者的蒸鍍掩模。

另外，在上述專利文獻l中公開有，為了抑制在使用蒸鍍掩模的蒸鍍制作時產生陰影，開口部的截面形狀或縫隙的截面形狀為向蒸鍍源側擴大的形狀為好。并且，陰影是指，由于從蒸鍍源釋放出的蒸鍍材料的一部分與金屬掩模的縫隙、或樹脂掩模的開口部的內壁面碰撞而未到達蒸鍍對象物，產生了膜厚較目標蒸鍍膜厚薄的未蒸鍍部分的現象。

專利文獻1：(日本)特開5288073號公報

發明內容

本發明的目的在于進一步改進上述專利文獻1記載的蒸鍍掩模的制造方法，其主要課題在于提供即使在大型化的情況下也能夠實現輕量化，并且通過抑制所謂的陰影產生而能夠形成比以往更高精細的蒸鍍圖案的蒸鍍掩模的制造方法或蒸鍍掩模制造裝置，除此之外，提供在該些制造方法或制造裝置中使用的激光用掩模，另外，提供可制造比以往更高精細的有機半導體元件的有機半導體元件的制造方法。

本發明一方面的蒸鍍掩模的制造方法，包含如下的工序：準備層積有金屬掩模和樹脂板的帶樹脂板的金屬掩模，所述金屬掩模設有縫隙；從所述金屬掩模側照射激光，并且在所述樹脂板形成與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部，在形成所述開口部的工序中，通過使用設有開口區域和衰減區域的激光用掩模，利用在所述開口區域通過的激光，在樹脂板形成與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部，并且利用在所述衰減區域通過的激光，在所述樹脂板的開口部的周圍形成薄壁部，所述開口區域與所述開口部對應，所述衰減區域位于該開口區域的周圍，并且使所照射的激光的能量衰減。

在上述蒸鍍掩模的制造方法中，也可以使在形成所述開口部的工序使用的激光用掩模的衰減區域中的激光的透過率為50％以下。

另外，本發明另一方面的蒸鍍掩模制造裝置，用于制造層積金屬掩模和樹脂掩模而構成的蒸鍍掩模，所述金屬掩模設有縫隙，所述樹脂掩模設有與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部，其中，該蒸鍍掩模制造裝置包含開口部成形機，其對將設有縫隙的金屬掩模和樹脂板層積的帶樹脂板的金屬掩模，從該金屬掩模側照射激光，且在所述樹脂板形成與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部，在所述開口部成形機中，使用設有與所述開口部對應的開口區域、和位于該開口區域的周圍且使所照射的激光的能量衰減的衰減區域的激光用掩模，利用在所述開口區域通過的激光，在樹脂板形成與要蒸鍍制作的圖案對應的開口部，并且利用在所述衰減區域通過的激光，在所述樹脂板的開口部的周圍形成薄壁部。